[发明专利]碳化硅单晶衬底

说明书

在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

技术领域

本发明涉及一种碳化硅单晶衬底。本申请主张基于2016年2月9日提交的日本专利申请2016-022388号的优先权，其全部内容以引用的形式并入本文中。

背景技术

例如，日本专利特许公开2009-120419号公报(专利文献1)描述了一种使用升华法制造碳化硅单晶的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特许公开2009-120419号公报

发明内容

根据本发明的碳化硅单晶衬底包含相对于(0001)面在11-20方向上倾斜的主面。在沿与主面垂直的方向观察时检测器配置于[11-20]方向上、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面的中心的第一测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第一测量区域的衍射X射线的情况下，在6.9keV～11.7keV范围内所述衍射X射线的第一强度分布的最大强度对所述第一强度分布的背景强度之比大于或等于1500。在沿与主面垂直的方向观察时检测器配置于平行于[-1100]方向的方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射第一测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第一测量区域的衍射X射线的情况下，在8.0keV～9.5keV范围内所述衍射X射线的第二强度分布的最大强度对所述第二强度分布的背景强度之比大于或等于1500。在沿与主面垂直的方向观察时检测器配置于[11-20]方向上并且要用X射线照射的位置在相对于[-1-120]方向在±15°以内的范围内变化的情况下，在所述第一强度分布指示在6.9keV～11.7keV范围内的最大值时的能量的最大值与最小值之差的绝对值小于或等于0.06keV。

附图说明

图1是显示根据本实施方案的碳化硅单晶衬底的构造的示意性平面图。

图2是显示根据本实施方案的碳化硅单晶衬底的构造的示意性横截面图。

图3是显示用于测量第一强度分布的方法的示意性正视图。

图4是显示用于测量第一强度分布的方法的示意性平面图。

图5显示了示例性的第一强度分布。

图6是显示用于测量第一强度分布的方法的示意性平面图。

图7是显示用于测量第一强度分布的方法的示意性平面图。

图8显示了示例性的第一强度分布。

图9显示了检测器的角度与指示第一强度分布的最大值时的能量之间的关系。

图10是显示用于测量第二强度分布的方法的示意性正视图。

图11是显示用于测量第二强度分布的方法的示意性平面图。

图12显示了示例性的第二强度分布。

图13是显示用于测量第二强度分布的方法的示意性平面图。

图14是显示用于测量第二强度分布的方法的示意性平面图。

图15显示了示例性的第二强度分布。