[发明专利]用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法

说明书

本发明涉及一种用于去除布置在腔室(1)中表面(5)上的金属沉积物(2)的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：a)注入适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质的第一阶段；和b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在所述第一阶段a)之后进行。

技术领域

本发明涉及一种用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法。

背景技术

现有技术中已知的用于从腔室中的表面去除金属沉积物的方法包括以下步骤：

a)氧化所述金属沉积物的步骤；

b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的步骤，所述第二步骤b)在步骤a)的至少一部分期间进行。

然而，这样的去除方法的有效性仍有待改进。

适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质也可能与所述金属沉积物在其氧化之前反应。这是可能阻断步骤a)的方式。

因此，所述化学物质与所述金属沉积物的反应可以干扰所述去除方法，并且尤其是危害其有效性。

当进行所述去除方法以从腔室中的表面去除铜(Cu)沉积物时尤其如此。步骤a)通常包括引入气态氧或气态臭氧。适合于使氧化铜挥发的化学物质包括六氟乙酰丙酮(hfacH)。当将hfacH化学物质注入所述腔室时，它也在铜被氧化之前与铜反应。于是阻断了所述氧化反应。

因此，本发明的目的是提出一种去除金属沉积物的方法，所述方法使得可以限制可能阻断所述方法的干扰反应。

本发明的第一个应用涉及布置在沉积腔室的内壁上的金属残余物的清洁。

本发明的另一个应用涉及印刷电路的制造，更具体而言，涉及尤其用于填充通孔的金属层的蚀刻，所述通孔是在印刷电路的几个层之间建立电连接的金属化孔洞。

常规上，所述通孔用金属例如铜过度填充，以便确保令人满意的通孔填充。过量的金属通过化学机械蚀刻步骤去除。在印刷电路基板和金属沉积层之间布置停止层来控制蚀刻厚度。所述化学机械蚀刻步骤需要使用停止层以确保非常精确地控制所述方法，并且还需要后续操作，包括复杂而昂贵的对蚀刻表面的清洁。

本发明的另一个目的是提出一种简化且较便宜的用于制造金属化通孔的方法。

发明内容

本发明目的在于克服全部或部分的上述缺点，并且涉及一种用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：

a)注入适合于氧化所述金属沉积物的化学物质的第一阶段；

b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在第一阶段a)之后进行。

在注入适合于氧化所述金属沉积物的化学物质之后注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质因此使得一方面可以避免所述物质相互反应，而另一方面，避免干扰反应，包括布置在腔室中表面上的所述金属沉积物与所述化学物质的反应。

此外，以一个或几个脉冲的形式注入所述适合于氧化所述金属沉积物和使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质也使得可以限制所述化学物质的量。

根据一种实施方法，在阶段b)中，相对于在阶段a)中氧化的所述金属沉积物的量，所述化学物质以亚化学计量的量注入。

由此可限制适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的消耗，并因此可限制去除所述沉积物的成本。

根据一个实施方式，所述序列包括在阶段(a)和阶段(b)之间的阶段，在此期间没有化学物质被注入所述腔室。