[发明专利]用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法

权利要求书

1.一种用于去除布置在腔室(1)中表面(5)上的金属沉积物(2)的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：

a)注入适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质的第一阶段；

b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在第一阶段a)之后进行；

并且其中，在阶段b)中，相对于在阶段a)中氧化的金属沉积物的量，所述化学物质以亚化学计量的量注入，使得所述氧化的金属沉积物层不会完全挥发。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质和所述适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质分别以一个或几个脉冲的形式注入。

3.根据权利要求2所述的方法，其中注入脉冲的持续时间在0.02s至5s范围内，并且如果存在两个连续脉冲之间的延迟的话，所述两个连续脉冲之间的延迟在0.02s至10s范围内。

4.根据前述权利要求任一项所述的方法，其中所述序列包括在阶段a)和阶段b)之间的阶段，在此期间没有化学物质被注入所述腔室。

5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述序列包括在阶段a)和阶段b)之间的至少部分腔室吹洗阶段。

6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其在两个连续的序列之间包括没有化学物质被注入所述腔室和/或所述腔室被至少部分吹洗的步骤。

7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中将所述腔室(1)维持在20℃和250℃之间的温度。

8.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中将所述腔室(1)维持在20℃和150℃之间的温度。

9.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中阶段a)包括注入至少一种下列氧化物质：氧气，臭氧，一氧化二氮。

10.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中在阶段b)中注入的化学物质包括六氟乙酰丙酮。

11.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中在阶段a)和/或阶段b)中注入的化学物质是等离子体活化的。

12.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述金属沉积物(2)包括至少一种下列元素：铜，钛，钽，钌，锌，锆，钒，银，金，铬。

13.一种用于清洁布置在沉积腔室(1)的内壁上的金属沉积物(2)的方法，其中使用根据权利要求1至12任一项所述的方法去除所述沉积物。

14.一种用于蚀刻在表面(5)上过量沉积的金属沉积物(2)的方法，其中通过根据权利要求1至12任一项所述的方法去除至少一部分所述金属沉积物。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在a)和b)阶段的第一个序列之前，将掩模(7)以局部化方式贴附在所述金属沉积物(2)上。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

-将所述掩模(7)贴附在待保留的金属沉积物(2)的各区域上；

-将a)和b)阶段的序列进行一次或数次以去除未被所述掩模覆盖的各区域中过量的金属沉积物(2)。