[发明专利]晶片加工用带

说明书

提供一种晶片加工用带，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以辊的状态存放时，能抑制标签部与晶片加工用带的背面的粘连，且能良好地从辊的状态将标签部抽出。上述晶片加工用带的特征在于，具有：长条的脱模膜(11)；粘合膜(12)，其具有标签部(12a)和包围标签部(12a)的外侧的周边部(12b)，标签部(12a)设置在脱模膜(11)的第1面(11a)上，且具有与环框(R)对应的规定形状；以及支承部件(13)，其设置在脱模膜(11)的短边方向的两端部，且设置在脱模膜(11)的与设置有粘合膜(12)的第1面(11a)相反的第2面(11b)上，粘合膜(12)的与脱模膜(11)不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，支承部件(13)的厚度为30～150μm。

技术领域

本发明涉及一种晶片加工用带，特别是涉及将半导体晶片等切断分离(切割)并单片化为芯片状时使用的晶片加工用带。

背景技术

在将半导体晶片等被加工物单片化为芯片状的情况下，用晶片加工用带将被加工物固定并通过旋转刀片或激光进行分割。另外，近年来也使用如下的方法：在半导体晶片的内部利用激光设置被称为改性层的脆弱部位，利用晶片加工用带将设置有该改性层的半导体晶片固定，通过拉伸扩展晶片加工用带，以改性层为起点将半导体晶片切断而进行单片化。

以往，对如上所述的晶片加工用带所要求的性能是加工时的固定性好、以及加工后剥离晶片加工用带时对被加工物没有污染等。然而，近年来，为了确认加工后的品质，从贴合有晶片加工用带的面对芯片的状态等进行目视确认。另外，在如上所述，在通过激光在半导体晶片的内部形成改性层时，在来自半导体晶片的未贴合晶片加工用带的面、即电路面的激光照射由于该电路图案而比较困难的情况下，从贴合有晶片加工用带一侧的面穿过晶片加工用带而进行激光照射。在这种情况下，对晶片加工用带所要求的性能是能充分透过可见光或者近红外光。

作为使可见光或者近红外光充分透过的方法，公开有将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra调整为0.3μm以下的方法(例如，专利文献1)。但是，晶片加工用带一般具有长条的薄膜形状，并以卷绕为辊状的卷绕体的状态存放。这样，在以卷绕体的状态存放晶片加工用带的情况下，若将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra设得过小，则卷绕重叠的晶片加工用带彼此容易粘在一起，在使用晶片加工用带时，将之从卷绕体抽出时容易发生被称为粘连的卡挂。因此，在专利文献1中，公开了为了抑制该粘连而优选将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra设为0.1μm以上的技术方案。

此处，作为晶片加工用带，考虑向晶片的粘贴、切割时向环框的安装等的操作性，也存在实施了预切割加工的晶片加工用带。图2以及图3示出了进行了预切割加工的切割带的例子。图2、图3的(a)、图3的(b)分别是切割带50的立体图、俯视图、剖视图。晶片加工用带50由脱模膜51与粘合膜52构成。粘合膜52具有：标签部52a，其具有与切割用的环框的形状对应的圆形形状；周边部52b，其包围该标签部52a的外侧。在标签部52a的周围，不存在粘合膜52，存在仅为脱模膜51的部分。

在切割晶片时，将粘合膜52的标签部52a从脱模膜51剥离，如图4所示，粘贴半导体晶片W的背面，并将切割用的环框R粘合固定到粘合膜52的外周部。在该状态下对半导体晶片W进行切割，之后，在粘合膜52实施紫外线照射等硬化处理并拾取半导体芯片。此时，粘合膜52因硬化处理而粘合力降低，因此，半导体芯片容易剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-15236号公报

发明内容

发明所要解决的课题