[发明专利]片式电阻器及其制造方法

说明书

一种薄膜片式电阻器，其包括：绝缘性的基板；形成在所述基板上的薄膜电阻体；与所述薄膜电阻体连接的一对电极；以及至少覆盖所述一对电极间的所述薄膜电阻体的保护膜，所述保护膜包含：第一保护膜，与所述薄膜电阻体接触且由氮化硅构成；以及第二保护膜，与所述第一保护膜接触且由氧化硅构成。

技术领域

本发明涉及片式电阻器及其制造方法。

背景技术

以往以来，具备由金属薄膜构成的电阻体的薄膜片式电阻器被广泛使用。使用例如把铬(Cr)和硅(Si)、或者镍(Ni)和铬(Cr)等的金属层通过溅射或者真空蒸镀沉积在陶瓷基板上并合金化而由此得到电阻膜，通过光刻等将所述电阻膜加工成需要的形状，由此得到用于薄膜片式电阻器的薄膜电阻体。通常，通过使用薄膜技术，能够实现高精度的片式电阻器。

作为具有高电阻率的电阻薄膜的制作例子，例如公开有通过在含氮的气体中对硅中包含铬等过渡金属的靶进行溅射，在基板上沉积的方法(参照专利文献1)。沉积的电阻薄膜通过光刻等被加工为形成大致所希望的电阻值的形状，在氮气和氩气等不活泼气体气氛下进行所述电阻薄膜的热处理。通过适当设定所述热处理条件，可以使电阻温度系数(TCR)成为±25ppm/℃以下的较小的值。

随后，在基板上进行用于在薄膜电阻图案上形成电极的抗蚀剂材料的涂布和抗蚀膜的图案化，通过溅射法沉积铜等作为电阻器的电极材料。此外，通过剥离法除去一部分抗蚀剂和铜，形成铜电极的图案。

在电极的图案化处理工序后，通过等离子体CVD法等沉积氧化硅膜作为保护膜。对于氧化硅膜，通过光刻、蚀刻工序形成图案，除去电极区域的氧化硅膜，形成接触用的开口部。

而后，利用丝网印刷等方法涂布使用了树脂糊剂等的外涂层膜并进行固化。随后，进行第一次热处理、第一次分割处理、端面电极形成、第二次热处理和第二次分割处理等处理形成一个一个的片，并对电极进行施镀等，由此完成薄膜电阻器。外涂层膜优选树脂材料。

此外，在使用了金属氧化物的薄膜电阻中，公开有在所述薄膜电阻的表面沉积高电阻率的绝缘性金属氧化物的方法(参照专利文献1)。与此相同，在使用了前述的金属氮化物的薄膜电阻中，也有沉积高电阻率的绝缘性的金属氮化物的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2002-141201号

发明内容

本发明要解决的技术问题

可是，如果为了研究用专利文献1的方法制造的薄膜电阻器实用化的可能性而使薄膜电阻器处于在高温高湿度的环境下长时间通电的状态，则会产生电阻值上升的现象。如果对电阻值发生了变化的薄膜电阻器进行分析，则至今已确认到电阻薄膜的一部分发生了异常。这是基于被称作电蚀的现象的异常，启示了由于进入薄膜电阻器内的水分，通电的电阻薄膜发生了氧化。

常用的电阻薄膜是结晶性相对较低的膜，含有大量悬挂键等结晶缺陷。推断尤其是电阻薄膜的表面缺陷数多，处于活性的状态。因此，存在如果水分进入通电状态的电阻薄膜附近则电阻薄膜容易氧化、电阻值上升、最终成为绝缘状态的问题。

本发明的目的是提供抑制片式电阻器的电阻值的经时变化的技术。

解决技术问题的技术方案

按照本发明的一个方式，提供一种薄膜片式电阻器，其包括：绝缘性的基板；薄膜电阻体，形成在所述基板上；一对电极，与所述薄膜电阻体连接；以及保护膜，至少覆盖所述一对电极间的所述薄膜电阻体，所述保护膜包含：第一保护膜，与所述薄膜电阻体接触且由氮化硅构成；第二保护膜，与所述第一保护膜接触且由氧化硅构成；以及开口部，通过除去所述第二保护膜、第一保护膜和所述薄膜电阻体至少一部分而形成，所述氮化硅的折射率在波长632.8nm时为2.0～2.3。