[发明专利]片式电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 201780007018.6 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108701516B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 廣岛安 | 申请（专利权）人： | KOA株式会社 |
| 主分类号： | H01C1/032 | 分类号： | H01C1/032;H01C7/00;H01C17/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻器 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜片式电阻器，其特征在于，
所述薄膜片式电阻器包括：
绝缘性的基板；
薄膜电阻体，形成在所述基板上；
一对电极，与所述薄膜电阻体连接；以及
保护膜，至少覆盖所述一对电极间的所述薄膜电阻体，
所述保护膜包含：第一保护膜，与所述薄膜电阻体接触且由氮化硅构成；第二保护膜，与所述第一保护膜接触且由氧化硅构成；以及开口部，通过除去所述第二保护膜、第一保护膜和所述薄膜电阻体至少一部分而形成，所述氮化硅的折射率在波长632.8nm时为2.0～2.3。
2.根据权利要求1所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，所述第一保护膜处于与氮化硅的化学计量组成Si：N＝3：4相比过量含有硅的状态。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，所述第二保护膜比所述第一保护膜厚。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，所述第一保护膜的膜厚为75nm～500nm。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，
形成有覆盖所述一对电极间的外涂层膜，
所述外涂层膜覆盖形成于所述薄膜电阻体的一部分的开口部。
6.一种薄膜片式电阻器的制造方法，其特征在于，
所述薄膜片式电阻器的制造方法包括下述工序：
准备绝缘性的基板，在所述基板上形成薄膜电阻体以及与所述薄膜电阻体连接的一对电极，并形成覆盖所述电极间的所述薄膜电阻体的由氮化硅构成的第一保护膜，所述所述氮化硅的折射率在波长632.8nm时为2.0～2.3；
形成覆盖所述第一保护膜的由氧化硅构成的第二保护膜；以及
在形成所述第二保护膜之后，通过激光微调除去所述第二保护膜、第一保护膜和所述薄膜电阻体至少一部分而形成开口部。
7.根据权利要求6所述的薄膜片式电阻器的制造方法，其特征在于，将所述第一保护膜制成与氮化硅的化学计量组成Si：N＝3：4相比过量含有硅的状态。
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