[发明专利]供给液体制造装置及供给液体制造方法有效
申请号: | 201780006815.2 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN108472610B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 小泽卓;中川洋一;高桥宗人;徐涛;横山俊夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | B01F15/02 | 分类号: | B01F15/02;B01F1/00;B01F3/04;B01F3/08 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 张丽颖 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供给 液体 制造 装置 方法 | ||
本发明提供能够制造与使用点所必需的量对应的供给液体的供给液体制造装置。供给液体制造装置具备:将水与臭氧气体混合而生成臭氧水的混合器(113);使向混合器(113)供给的水升压的升压泵(112);将由混合器(113)生成的臭氧水气液分离成向使用点(119)供给的臭氧水和从排气口(125)排出的排出气体的气液分离箱(114);对从气液分离箱(114)向使用点(119)供给的臭氧水的流量进行测定的流量计(117);根据由流量计(117)测定的臭氧水的流量,控制升压泵(112),对升压并供给至混合器(113)的水的压力(流量)进行调整的流量控制部(126);以及以将气液分离箱(114)内的水位保持为恒定的方式控制排出气体的排气压力的排气压力控制部(123)。
技术领域
本发明涉及将第一原料与第二原料混合而制造供给液体的供给液体制造装置。
背景技术
近年来,伴随制造工艺的复杂化、电路图案的细微化,半导体设备工厂、液晶等电子部件制造工厂的制品的清洗工艺逐步提高。例如,使用在功能水(超纯水等)中溶解了高纯度的气体或溶解了高纯度气体和药品的特殊的液体(称为清洗液),去除附着于硅晶片的微粒子、金属、有机物等。
作为清洗处理方式,除了重复同时浸渍多个硅晶片及对多个硅晶片清洗的操作的“批量处理方式”以外,还采用与多品种少量生产的制品对应而对每一个晶片进行药品清洗及超纯水清洗的“单晶片处理方式”。单晶片处理方式与批量处理方式相比,每个晶片的清洗工序时间(单件工时)较长,清洗液的使用量较多,因此有缩短单件工时及降低清洗液使用量的需求。现在,为了在短时间的有效的清洗及降低清洗液使用量,单独或同时使用多个功能水以及药品,进行以短时间切换清洗工序的高级的清洗工艺。
作为功能水,例如使用在超纯水中溶解了臭氧气体的臭氧水。溶解于超纯水的臭氧即使是低浓度(几ppm),氧化力也非常强,因此能够进行有机物、金属的去除。该臭氧水一般由臭氧水制造装置制造。伴随清洗工艺的提高及复杂化,要求在短时间内的臭氧水向清洗装置的供给及停止,但现有的装置一旦停止臭氧水的制造,则直到能够再次供给要求臭氧浓度及要求流量的臭氧水为止需要一定的时间(启动时间)。因此,为了对应向清洗装置的臭氧水的供给要求,由臭氧水制造装置始终制造臭氧水,连续地向清洗装置供给。其结果是,向清洗装置供给过量的臭氧水,硅晶片的清洗所未使用的未使用的臭氧水作为排水从清洗装置排出。
因此,以往提出一种循环式的臭氧水供给装置(参照专利文献1),与使用点的臭氧水的使用量无关,能够供给恒定浓度及恒定压力的臭氧水并且能够再利用未使用的臭氧水。
在以往的循环式的臭氧水供给装置中,如图6所示,将水和臭氧气体向臭氧溶解槽12供给来生成臭氧水,将臭氧水从臭氧溶解槽12向循环槽21供给,从循环槽21经由臭氧水送水配管22向使用点供给,使在使用点未消耗的臭氧水经由臭氧水返回配管23返回循环槽21,再次从循环槽21向使用点供给臭氧水。并且,臭氧溶解槽12的槽内压力、循环槽21的槽内压力、臭氧水返回配管23的管内压力分别维持为恒定,循环槽21的槽内压力被控制为低于臭氧溶解槽12的槽内压力及臭氧水返回配管23的管内压力的各压力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-117628号公报
发明的概要
发明要解决的问题
然而,以往的臭氧水供给装置是使再利用的臭氧水(未使用的臭氧水)循环的循环式,需要采取对于臭氧水(未使用的臭氧水)的循环导致的臭氧水的温度上升、发生污染的对策。因此,希望开发制造与使用点所必需的量对应的臭氧水的技术。
发明内容
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