[发明专利]碳化硅半导体装置

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的半导体基板，其由碳化硅构成；

有源区，其设置在所述半导体基板的正面，供主电流流过；

多个第二导电型半导体区域，其以围绕所述有源区的周围的同心圆形的方式并且以越配置在外侧杂质浓度越低的方式选择性地设置；

第二导电型的第一中间区域，其设置在相邻的所述第二导电型半导体区域之间，并与相邻的所述第二导电型半导体区域分别相互接触，并且所述第一中间区域的杂质浓度比与所述第一中间区域的内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度低，比与所述第一中间区域的外侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度高；以及

第二导电型的第二中间区域，其设置为与最外侧的所述第二导电型半导体区域相比更靠外侧，并与该第二导电型半导体区域接触，并且所述第二中间区域的杂质浓度比与所述第二中间区域的内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度低，比所述半导体基板的杂质浓度高，

所述第一中间区域和所述第二中间区域分别以围绕在内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的周围的同心圆形的方式从内侧起使第二导电型的第一小区域、和杂质浓度比所述第一小区域的杂质浓度高的第二导电型的第二小区域交替反复配置而成，

所述第二中间区域的长度大于所述第一中间区域的长度。

2.根据权利要求1记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述第一中间区域的长度大于或等于与该第一中间区域的内侧相邻的所述第一中间区域的长度。

3.根据权利要求1记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述第二导电型半导体区域的长度大于与该第二导电型半导体区域的内侧相邻的所述第二导电型半导体区域的长度。

4.根据权利要求3记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，相邻的所述第二导电型半导体区域彼此的长度的差值全部相等。

5.根据权利要求1记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述第一中间区域的所述第一小区域具有与所述第一中间区域的外侧邻接的所述第二导电型半导体区域相同的杂质浓度。

6.根据权利要求1记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述第二中间区域的所述第一小区域具有与所述半导体基板的杂质浓度相同的杂质浓度。

7.根据权利要求1记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述第一中间区域的所述第二小区域具有与在所述第一中间区域的内侧邻接的所述第二导电型半导体区域相同的杂质浓度，所述第二中间区域的所述第二小区域具有与在所述第二中间区域的内侧邻接的所述第二导电型半导体区域相同的杂质浓度。

8.根据权利要求1～7中任意一项记载的碳化硅半导体装置，其特征在于，还具备表面保护膜，其设置在所述半导体基板的正面，并且覆盖所述第二导电型半导体区域、所述第一中间区域和所述第二中间区域，

所述表面保护膜的厚度在根据用于形成所述表面保护膜的材料的粘度在1次涂布工序中能够形成的最大厚度以上。