[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201780005350.9 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN108475631B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G02F1/13;G02F1/1333;G11B5/84;G11B7/26 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
基板处理方法,包括:液膜形成工序,在基板的上表面形成厚度比图案的高度厚的处理液的液膜,喷出口配置工序,以使第一喷出口朝向基板的上表面中的包括旋转中心的规定的第一区域,且使第二喷出口朝向基板的上表面中的包围第一区域的外侧的规定的第二区域的方式,配置第一和第二喷出口,第一喷出工序,从所述第一喷出口喷出含低表面张力液体的气体且从所述第二喷出口不喷出所述含低表面张力液体的气体,所述含低表面张力液体的气体含有比重比空气大且表面张力比所述处理液低的低表面张力液体的蒸汽,以及第二喷出工序,在所述第一喷出工序后,从所述第二喷出口喷出所述含低表面张力液体的气体,并且从第一喷出口不喷出所述含低表面张力液体的气体。
技术领域
本发明涉及一种使用处理液对基板的上表面进行处理的基板处理方法。基板包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示用基板、FED(Field Emission Display,场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中,向半导体晶片等基板的表面供给处理液,使用处理液对该基板的表面进行处理。
例如,对基板一张一张地进行处理的单张式的基板处理装置具有:旋转卡盘,一边将基板保持为大致水平,一边使该基板旋转;以及喷嘴,用于向由该旋转卡盘旋转的基板的上表面供给处理液。例如,通过向由旋转卡盘保持的基板供给药液,然后供给水,将基板上的药液置换成冲洗液。然后,进行用于从基板的上表面上排除水的干燥处理。作为干燥处理已知有,向旋转状态的基板的表面供给IPA(isopropyl alcohol:异丙醇)等低表面张力液体的蒸汽的方法。例如,旋转移动(Rotagoni)干燥(参照专利文献1)是该方法的一个例子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-131783号公报
发明内容
发明所要解决的问题
作为这样的干燥方法,具体来说,通过在基板的上表面形成处理液 (水)的液膜,向该处理液的液膜喷射含低表面张力液体的气体(低表面张力液体的蒸汽),从而形成液膜去除区域。然后,通过扩大液膜去除区域而用液膜去除区域覆盖基板的整个上表面,使处理液的液膜中的与液膜去除区域的边界(以下,称为“液膜边界”)从基板中央部移动到基板的周缘,由此,能够使基板的上表面干燥。
作为这样的干燥方法,具体而言,在基板的上表面形成处理液(冲洗液)的液膜,并向该处理液的液膜喷射低表面张力液(IPA)的蒸汽,由此,形成液膜去除区域。
本申请的发明人发现,在采用这种干燥方法的情况下,通过使液膜边界以将液膜边界中的处理液的液面和基板上表面所形成的角度(以下,称为“液膜边界中的液面角度”)保持得大的状态移动,能够在极短的时间内去除在图案之间存在的处理液。在干燥时,由于随着去除在图案之间存在的处理液的去除时间缩短而能够抑制干燥时的图案倒塌,因此作为能够抑制图案倒塌的干燥方法,引起本申请的发明人的关注。
但是,在专利文献1记载的方法中,随着液膜去除区域的扩大液膜边界从喷出口远离。因此,随着液膜去除区域的扩大,不能将液膜边界的周围保持为含低表面张力液体的气体的环境。该情况下,不能将液膜边界中的液面角度保持得大,结果,存在随着液膜去除区域的扩大而产生图案倒塌的担忧。
在此,本发明的目的在于提供一种基板处理方法,在该基板处理方法中,在从液膜去除区域的形成到该液膜去除区域扩大至基板的整个上表面的期间内,能够向处理液的液膜中的与液膜去除区域的边界持续供给含低表面张力液体的气体,由此,能够一边抑制或防止图案倒塌一边从基板的上表面去除处理液。
用于解决问题的手段
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造