[发明专利]基板处理方法有效

专利信息
申请号: 201780005350.9 申请日: 2017-01-18
公开(公告)号: CN108475631B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 尾辻正幸 申请(专利权)人: 株式会社斯库林集团
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;G02F1/13;G02F1/1333;G11B5/84;G11B7/26
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋晓宝;向勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种基板处理方法,其中,包括:

基板保持工序,将上表面形成有图案的基板保持为水平,

液膜形成工序,在所述基板的上表面形成厚度比所述图案的高度厚的处理液的液膜,

喷出口配置工序,以使第一喷出口朝向所述基板的上表面中的包括旋转中心的规定的第一区域,且使第二喷出口朝向所述基板的上表面中的包围所述第一区域的外侧的规定的第二区域的方式,配置所述第一喷出口和所述第二喷出口,

第一喷出工序,从所述第一喷出口喷出含低表面张力液体的气体且从所述第二喷出口不喷出所述含低表面张力液体的气体,所述含低表面张力液体的气体含有比重比空气大且表面张力比所述处理液低的低表面张力液体的蒸汽,

第二喷出工序,在所述第一喷出工序后,从所述第二喷出口喷出所述含低表面张力液体的气体,并且从第一喷出口不喷出所述含低表面张力液体的气体,以及

旋转工序,与所述第一喷出工序和所述第二喷出工序并行,使所述基板以规定的铅垂轴线为中心旋转。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,

从所述第一喷出口喷出的气体的喷出方向包括铅垂下方,

从所述第二喷出口喷出的气体的喷出方向包括斜下外侧。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

所述含低表面张力液体的气体具有比常温高的温度。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

所述第二喷出工序包括从所述第一喷出口喷出不包含所述低表面张力液体的蒸汽且比重比所述低表面张力液体小的非活性气体的工序。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

所述第一喷出工序包括从所述第二喷出口喷出不包含所述低表面张力液体的蒸汽且比重比所述低表面张力液体小的非活性气体的工序。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

所述处理液包含水,

所述低表面张力液体包含有机溶剂。

7.一种基板处理装置,其中,包括:

基板保持单元,将基板以形成有图案的上表面朝向上方的状态保持为水平,

旋转单元,用于使被所述基板保持单元保持的所述基板以规定的铅垂轴线为中心旋转,

处理液供给单元,用于向所述基板的所述上表面供给处理液,

喷嘴,具有第一喷出口和第二喷出口,所述第一喷出口与所述基板的上表面中的包括旋转中心的规定的第一区域相向,所述第二喷出口与所述基板的上表面中的包围所述第一区域的外侧的规定的第二区域相向,

含低表面张力液体的气体供给单元,用于向所述喷嘴供给含低表面张力液体的气体,所述含低表面张力液体的气体含有比重比空气大且表面张力比所述处理液低的低表面张力液体的蒸气,

控制装置,对所述旋转单元、所述处理液供给单元和所述含低表面张力液体的气体供给单元进行控制;

所述控制装置执行液膜形成工序、第一喷出工序、第二喷出工序和旋转工序,

在所述液膜形成工序中,在所述基板的上表面形成厚度比所述图案的高度厚的处理液的液膜,

在所述第一喷出工序中,利用所述含低表面张力液体的气体供给单元从所述第一喷出口喷出所述含低表面张力液体的气体并向所述液膜喷吹,并且从所述第二喷出口不喷出所述含低表面张力液体的气体,

在所述第二喷出工序中,在所述第一喷出工序后,利用所述含低表面张力液体的气体供给单元从所述第二喷出口喷出所述含低表面张力液体的气体并向所述液膜喷吹,并且从所述第一喷出口不喷出所述含低表面张力液体的气体,

所述旋转工序与所述第一喷出工序和所述第二喷出工序并行,在所述旋转工序中,使所述基板以规定的铅垂轴线为中心旋转。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,

从所述第一喷出口喷出的气体的喷出方向包括铅垂下方,

从所述第二喷出口喷出的气体的喷出方向包括斜下外侧。

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