[发明专利]双面研磨方法及双面研磨装置有效
| 申请号： | 201780004626.1 | 申请日： | 2017-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108369908B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 田中佑宜;天海史郎 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 研磨 方法 装置 | ||
1.一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中
经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A毫米、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B毫米，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B1.0的关系。
2.如权利要求1所述的双面研磨方法，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A毫米、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B毫米，满足1.5≦A/B≦2.5的关系。
3.如权利要求1所述的双面研磨方法，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。
4.如权利要求2所述的双面研磨方法，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。
5.如权利要求1至4中任一项所述的双面研磨方法，其中经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B为0.3毫米以上。
6.一种双面研磨装置，具有经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘、及经形成有用以将半导体晶圆支承于该上定盘及该下定盘间的支承孔的载体，其中
经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A毫米、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B毫米，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B1.0的关系。
7.如权利要求6所述的双面研磨装置，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A毫米、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B毫米，满足1.5≦A/B≦2.5的关系。
8.如权利要求6所述的双面研磨装置，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。
9.如权利要求7所述的双面研磨装置，其中作为经贴附于该上定盘及该下定盘的研磨垫，使用邵氏A硬度为85以上95以下之物。
10.如权利要求6至9中任一项所述的双面研磨装置，其中经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B为0.3毫米以上。
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