[发明专利]电平转换电路

说明书

防止在高侧的基准电位的线产生长时间的dV/dt噪声的情况下的误动作。与电平转换电阻(LSR1、LSR2)并联地连接有串联连接的晶体管(PM1、PM1X和PM2、PM2X)。一方的晶体管(PM1、PM2)与闩锁电路(113)的输出相对应地向其闩锁状态难以变化的方向导通‑截止。另一方的晶体管(PM1X、PM2X)在dV/dt期间检测电路(114)检测dV/dt的产生的期间导通，例如在闩锁电路(113)的输出为L电平时，用晶体管(PM1、PM1X)的通态电阻降低电平转换电阻(LSR1)而使连接点(resdrn)的电位相对降低，难以改变闩锁状态。如果dV/dt期间检测电路(114)检测到dV/dt的结束，则晶体管(PM1X、PM2X)均变为截止。

技术领域

本发明涉及电平转换电路，特别是涉及对驱动2个开关元件中的高侧的开关元件的驱动电路传递以低侧的接地电位为基准而生成的信号的电平转换电路，所述2个开关元件形成半桥电路。

背景技术

在由高电位系电源驱动的半桥电路中，串联连接的高侧的开关元件和低侧的开关元件分别被基准电位不同的驱动电路驱动。作为高侧用的驱动电路，已知HV驱动IC(HVIC)。在HV驱动IC中，使高侧的开关元件导通或截止的信号无法直接使用以低侧的接地电位为基准生成的信号，因此通过电平转换电路进行电平转换之后使用(例如，参照专利文献1、2)。接下来，依次对该专利文献1、2中记载的电平转换电路进行说明。

图5是表示使用了现有的电平转换电路的半桥电路的构成例的图。

在图5中，高侧的开关元件XD1和低侧的开关元件XD2串联连接地构成输出电路100，在两端连接有高电压的电源E(以下，其电压也用E表示)。在此，开关元件XD1、XD2在图示的例子中使用N沟道的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。

在半桥电路中，构成为高侧的开关元件XD1被高侧驱动电路110的输出信号HO控制，低侧的开关元件XD2被低侧驱动电路120的输出信号LO控制。

高侧驱动电路110具备驱动开关元件XD1的高侧驱动器111、电源E1(以下，其电压也用E1表示)以及由除此以外的构成要素构成的电平转换电路。

电平转换电路具有电平转换电阻LSR1与N沟道MOSFET的高耐压晶体管HVN1的串联电路以及电平转换电阻LSR2与N沟道MOSFET的高耐压晶体管HVN2的串联电路。这些串联电路的一端分别连接到与电源E1的高电位侧端子连接的电源线VB(以下，其电位也用VB表示)连接，另一端分别连接到作为低侧的基准电位的接地电位(GND)。向高耐压晶体管HVN1的栅极输入指示开关元件XD1的导通期间的开始时刻的置位信号SET。另外，向高耐压晶体管HVN2的栅极输入指示开关元件XD1的导通期间的结束时刻的复位信号RSET。应予说明，连接到高耐压晶体管HVN1、HVN2的源极-漏极间的电容器表示高耐压晶体管HVN1、HVN2所具有的寄生电容Cds1、Cds2。

电平转换电阻LSR1与高耐压晶体管HVN1的连接点setdrn(以下，其信号也用置位漏极信号setdrn表示)与闩锁误动作保护电路112连接。另外，电平转换电阻LSR2与高耐压晶体管HVN2的连接点resdrn(以下，其信号也用复位漏极信号resdrn表示)也与闩锁误动作保护电路112连接。在此，闩锁误动作保护电路112发挥下述作用：仅在连接点setdrn、resdrn中的一个为L电平，另一个为H电平时，使置位漏极信号setdrn和复位漏极信号resdrn直接通过。