[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780002329.3 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN109429530B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 森永雄司;久德淳志;菊地芳彦 申请(专利权)人: 新电元工业株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

【课题】提供一种即使在具有旁路电容以及电源电路的情况下,也能够防止电源电路出现失灵的半导体装置。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括:绝缘基板2;形成在绝缘基板2上的导电图形部51、52、53、54、55;半导体开关部10、20;以及旁路电容80,其中,半导体开关部10被配置在导电图形部51上,半导体开关部20被配置在导电图形部52上,半导体开关部10具有边S1以及边S2,半导体开关部20具有边S3以及边S4,沿边S1延伸的假想线L1与沿边S3延伸的假想线L2相交。

技术领域

本发明涉及一种具有电源电路的半导体装置。

背景技术

以往,具有将电源电压转换为期望的电压后进行输出的电源电路的半导体装置已被普遍认知。电源电路中包括有逆变器(Invertor)、整流器、DC/DC(Convertor)转换器等。这样的半导体装置例如被运用于太阳光发电系统的功率调节器(Power Conditioner)或服务器装置(Server device)。在半导体装置的电源电路中,使用了半桥(Half-bridge)电路或全桥(Full-bridge)电路。在这些电路中,高电压侧的高端开关(High-side switch)与低电压侧的低端开关(Low-side switch)被级联。

另外,在专利文献1中记载了一种具有级联后的两个开关元件的功率模块(Powermodule)。该功率模块中的高端开关与低端开关被平行配置。

先行技术文献

专利文献1:特开2016-162773号公报

在电源电路中,为了将电源电压的变动以及各种噪声(Noise)滤除,一般会使用旁路电容(Bypass condenser)。并且旁路电容会配置在高电压侧端子与低电压侧端子(接地端)之间。而且在以往,其还会被安装在半导体装置的外部。由于旁路电容在被配置在开关元件附近时更加能够发挥出效果,因此行业内一直期望于将旁路电容配置在半导体装置的内部(内置方式)。

在采用内置方式的情况下,当高端开关与低端开关为N型时,旁路电容会被配置在高端开关的源电极与低端开关的漏电极之间。而当高端开关与低端开关为P型时,旁路电容会被配置在高端开关的漏电极与低端开关的源电极之间。

然而,在高端开关与低端开关平行配置这样一种以往的布局下,由于从高端开关经由旁路电容后到达低端开关的路径(以下,也简称为“旁路电容路径”)过长,因此会导致旁路电容路径上的寄生电感(Parasitic inductance)变大。其结果就是,电源电路会出现失灵。

本发明鉴于上述课题,目的是提供一种即使在具有旁路电容以及电源电路的情况下,也能够防止电源电路出现失灵的半导体装置。

发明内容

本发明涉及的半导体装置,其特征在于,包括:

绝缘基板;

第一导电图形(Pattern)部,形成在所述绝缘基板上;

第二导电图形部,形成在所述绝缘基板上;

第三导电图形部,形成在所述绝缘基板上;

第四导电图形部,形成在所述绝缘基板上;

第五导电图形部,形成在所述绝缘基板上;

第一半导体开关部,具有第一主电极以及第二主电极,并且配置在所述第一导电图形部上;

第二半导体开关部,具有第三主电极以及第四主电极,并且配置在所述第二导电图形部上;以及

旁路电容,具有第一电极以及第二电极,

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