[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

绝缘基板；

第一导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第二导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第三导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第四导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第五导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第一半导体开关部，具有第一主电极以及第二主电极，并且配置在所述第一导电图形部上；

第二半导体开关部，具有第三主电极以及第四主电极，并且配置在所述第二导电图形部上；以及

旁路电容，具有第一电极以及第二电极，

其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部的所述第二主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第三主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极与所述第五导电图形部电气连接，所述旁路电容的所述第一电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第二电极与所述第五导电图形部电气连接，

所述第一半导体开关部具有第一边、以及与所述第一边相对的第二边，所述第二半导体开关部具有第三边、以及与所述第三边相对的第四边，

所述第一主电极沿所述第一边配置，所述第二主电极沿所述第二边配置，所述第三主电极沿所述第三边配置，所述第四主电极沿所述第四边配置，

沿所述第一边延伸的第一假想线与沿所述第三边延伸的第二假想线相交。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于30°，小于等于135°。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于45°，小于等于90°。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度为45°。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极经由所述第三导电图形部与高电压侧端子电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极经由所述第五导电图形部与低电压侧端子电气连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述绝缘基板具有从平面看所述高电压侧端子与所述低电压侧端子突出的第一基板边、以及与所述第一基板边相对的第二基板边，

所述第一半导体开关部被配置为所述第一假想线与所述第一基板边相平行，所述第二半导体开关部被配置为所述第二假想线相对于所述第一基板边倾斜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述旁路电容被配置为：连结所述第一电极与所述第二电极的第三假想线与所述第一假想线以及所述第二假想线相交。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第三假想线与所述第二假想线相交的角度为90°。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一半导体开关部具有：

配置在所述第一导电图形部上的第一GaN-HEMT；以及

配置在所述第一GaN-HEMT上的第一MOS-FET，

所述第二半导体开关部具有：

配置在所述第二导电图形部上的第二GaN-HEMT；以及

配置在所述第二GaN-HEMT上的第二MOS-FET，

所述第一GaN-HEMT的栅电极经由所述第四导电图形部与所述第二主电极电气连接，所述第二GaN-HEMT的栅电极经由所述第五导电图形部与所述第四主电极电气连接。