[发明专利]半导体装置

说明书

【课题】抑制具有GaN‑HEMT的电源电路的失灵。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：绝缘基板2；形成在绝缘基板2上的导电图形部51、52、53、54、55；配置在导电图形部51上的GaN‑HEMT10；以及配置在导电图形部52上的GaN‑HEMT20，其中，GaN‑HEMT10的假想线L1与GaN‑HEMT20的假想线L2相交，GaN‑HEMT20的GaN栅电极23经由金属线6与导电图形部55电气连接，金属线6与导电图形部55的边S5以及导电图形部55的导电图形边55S垂直相交。

技术领域

本发明涉及一种具有电源电路的半导体装置。

背景技术

以往，具有将电源电压转换为期望的电压后进行输出的电源电路的半导体装置已被普遍认知。电源电路中包括有逆变器(Invertor)、整流器、DC/DC(Convertor)转换器等。这样的半导体装置例如被运用于太阳光发电系统的功率调节器(Power Conditioner)或服务器装置(Server device)。在半导体装置的电源电路中，使用了半桥(Half-bridge)电路或全桥(Full-bridge)电路。在这些电路中，半导体开关元件被级联。

近年来，为了提高电源电路的电力转换效率，行业内正探索将使用了能够高速运作(例如超过100MHz)的GaN系半导体材料的高电子迁移率晶体管(High ElectronMobility Transistor：HEMT)(以下也简称为“GaN-HEMT”)运用于开关元件。

另外，在专利文献1中记载了一种使用了GaN-HEMT的LED驱动装置。

先行技术文献

专利文献1：特开2015-029040号公报

在将GaN-HEMT运用于电源电路的情况下，伴随着其高速运作，电源电路的布线中的寄生电感(Parasitic inductance)所带来的影响也会较以往大得多。因此，可能会导致电源电路出现失灵。

因此，本发明的目的，是提供一种能够对具有GaN-HEMT的电源电路的失灵进行抑制的半导体装置。

发明内容

本发明涉及的半导体装置，其特征在于，包括：

绝缘基板；

第一导电图形(Pattern)部，形成在所述绝缘基板上；

第二导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第三导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第四导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第五导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第一GaN-HEMT，具有第一GaN主电极、第二GaN主电极以及第一GaN栅电极，并且被配置在所述第一导电图形部上；

第一MOS-FET，具有第一MOS主电极、第二MOS主电极以及第一MOS栅电极，并且所述第一MOS主电极与所述第二GaN主电极电气连接；

第二GaN-HEMT，具有第三GaN主电极、第四GaN主电极以及第二GaN栅电极，并且被配置在所述第二导电图形部上；

第二MOS-FET，具有第三MOS主电极、第四MOS主电极以及第二MOS栅电极，并且所述第三MOS主电极与所述第四GaN主电极电气连接；以及

旁路电容(Bypass condenser)，具有第一电极以及第二电极，