[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

绝缘基板；

第一导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第二导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第三导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第四导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第五导电图形部，形成在所述绝缘基板上；

第一GaN-HEMT，具有第一GaN主电极、第二GaN主电极以及第一GaN栅电极，并且被配置在所述第一导电图形部上；

第一MOS-FET，具有第一MOS主电极、第二MOS主电极以及第一MOS栅电极，并且所述第一MOS主电极与所述第二GaN主电极电气连接，所述第一MOS-FET配置在所述第一GaN-HEMT上；

第二GaN-HEMT，具有第三GaN主电极、第四GaN主电极以及第二GaN栅电极，并且被配置在所述第二导电图形部上；

第二MOS-FET，具有第三MOS主电极、第四MOS主电极以及第二MOS栅电极，并且所述第三MOS主电极与所述第四GaN主电极电气连接，所述第二MOS-FET配置在所述第二GaN-HEMT上；以及

旁路电容，具有第一电极以及第二电极，

其中，所述第一GaN-HEMT的所述第一GaN主电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第一MOS-FET的所述第二MOS主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二GaN-HEMT的所述第三GaN主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二MOS-FET的所述第四MOS主电极与所述第五导电图形部电气连接，所述旁路电容的所述第一电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第二电极与所述第五导电图形部电气连接，

所述第一GaN-HEMT具有第一边、以及与所述第一边相对的第二边，所述第二GaN-HEMT具有第三边、以及与所述第三边相对的第四边，

所述第一GaN-HEMT的所述第一GaN主电极沿所述第一边配置，所述第二GaN-HEMT的所述第三GaN主电极沿所述第三边配置，沿所述第一边延伸的第一假想线与沿所述第三边延伸的第二假想线相交，

所述第二GaN-HEMT的具有连接所述第三边与所述第四边的第五边，所述第五导电图形部具有与所述第五边相对的第一导电图形边，

所述第二GaN-HEMT的所述第二GaN栅电极经由第一连接构件与所述第五导电图形部电气连接，所述第一连接构件与所述第五边以及所述第一导电图形边垂直相交。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一GaN-HEMT以及所述第二GaN-HEMT为常开型的晶体管，所述第一MOS-FET以及所述第二MOS-FET为常关型的晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一连接构件为金属线或连接件。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一GaN-HEMT的所述第一GaN主电极经由所述第三导电图形部与高电压侧端子电气连接，所述第二MOS-FET的所述第四MOS主电极经由所述第五导电图形部与低电压侧端子电气连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述绝缘基板具有从平面看所述高电压侧端子与所述低电压侧端子突出的第一基板边、以及与所述第一基板边相对的第二基板边，

所述第一GaN-HEMT被配置为所述第一假想线与所述第一基板边相平行，所述第二GaN-HEMT被配置为所述第二假想线相对于所述第一基板边倾斜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于30°，小于等于60°。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度为45°。