[发明专利]薄膜晶体管和显示设备

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管，具有：有源层，其包括沟道部分、源极接触部分、以及漏极接触部分。源极接触部分和漏极接触部分中的至少一个具有接触边缘，所述接触边缘具有沿着所述接触边缘的一个或多个不规则体。

技术领域

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及薄膜晶体管和显示设备。

背景技术

诸如液晶显示(LCD)设备和有机发光二极管(OLED)显示设备之类的显示设备已经广泛使用。LCD和OLED显示装置使用薄膜晶体管(TFT)来控制显示面板中的各像素。TFT的示例包括非晶硅TFT、多晶硅TFT、单晶硅TFT、金属氧化物TFT、以及有机半导体TFT。

发明内容

在一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层，其具有沟道部分、源极接触部分、以及漏极接触部分；其中，源极接触部分和漏极接触部分中的至少一个具有接触边缘，所述接触边缘具有沿着所述接触边缘的一个或多个不规则体。

可选地，所述一个或多个不规则体包括：沿着接触边缘的一个或多个凹部、沿着接触边缘的一个或多个凸部、或沿着接触边缘的一个或多个凹部以及一个或多个凸部的组合。

可选地，所述一个或多个不规则体包括沿着所述接触边缘交替的凹部和凸部。

可选地，源极接触部分和漏极接触部分两者具有接触边缘，所述接触边缘具有沿着所述接触边缘的一个或多个不规则体。

可选地，薄膜晶体管还包括位于有源层上的源电极和漏电极；其中，源极接触部分的接触边缘电连接至源电极；并且，漏极接触部分的接触边缘电连接至漏电极。

可选地，源极接触部分的接触边缘与源电极接触；并且，漏极接触部分的接触边缘与漏电极接触。

可选地，薄膜晶体管还包括非晶硅层，其位于源电极与源极接触部分的接触边缘之间并且位于漏电极与漏极接触部分的接触边缘之间；其中，源极接触部分的接触边缘和漏极接触部分的接触边缘均与非晶硅层接触。

可选地，薄膜晶体管还包括n+掺杂非晶硅层，其位于非晶硅层与源电极之间并且位于非晶硅层与漏电极之间。

可选地，有源层基本上沿着从源电极到漏电极的延伸方向延伸；并且所述一个或多个不规则体沿着接触边缘的沿不平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的部分。

可选地，接触边缘的所述部分沿着与有源层的所述延伸方向基本上正交的方向延伸。

可选地，有源层基本上沿着从源电极到漏电极的延伸方向延伸；并且所述一个或多个不规则体沿着接触边缘的沿基本上平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的部分。

可选地，有源层基本上沿着从源电极到漏电极的延伸方向延伸；并且所述一个或多个不规则体沿着接触边缘的沿不平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的第一部分，并且沿着接触边缘的沿基本上平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的第二部分。

可选地，所述一个或多个不规则体中的至少一个的沿着基本上平行于有源层的表面的平面的截面具有多边形形状。

可选地，所述一个或多个不规则体中的至少一个的沿着基本上平行于有源层的表面的平面的截面具有圆形形状。

可选地，薄膜晶体管是底栅型薄膜晶体管，其包括：栅电极，其位于基底基板上；和栅绝缘层，其位于栅电极的远离基底基板的一侧；其中，有源层位于栅绝缘层的远离栅电极的一侧。

可选地，薄膜晶体管还包括位于沟道部分上的刻蚀阻挡层。

可选地，薄膜晶体管还包括位于有源层上并且与源极接触部分和漏极接触部分共形的刻蚀阻挡层。

可选地，有源层包括金属氧化物半导体材料。

可选地，有源层包括非晶硅或多晶硅。