[发明专利]薄膜晶体管和显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：有源层，其具有沟道部分、源极接触部分、以及漏极接触部分；

其中，源极接触部分和漏极接触部分中的至少一个具有接触边缘，所述接触边缘具有沿着所述接触边缘的一个或多个不规则体。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述一个或多个不规则体包括：沿着接触边缘的一个或多个凹部、沿着接触边缘的一个或多个凸部、或沿着接触边缘的一个或多个凹部以及一个或多个凸部的组合。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述一个或多个不规则体包括沿着接触边缘交替的凹部和凸部。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源极接触部分和漏极接触部分两者均具有接触边缘，所述接触边缘具有沿着所述接触边缘的一个或多个不规则体。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括位于有源层上的源电极和漏电极；

其中，源极接触部分的接触边缘电连接至源电极；并且，

漏极接触部分的接触边缘电连接至漏电极。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，源极接触部分的接触边缘与源电极接触；并且，

漏极接触部分的接触边缘与漏电极接触。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，还包括非晶硅层，其位于源电极与源极接触部分的接触边缘之间并且位于漏电极与漏极接触部分的接触边缘之间；

其中，源极接触部分的接触边缘和漏极接触部分的接触边缘均与非晶硅层接触。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，还包括n+掺杂非晶硅层，其位于非晶硅层与源电极之间并且位于非晶硅层与漏电极之间。

9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，有源层实质上沿着从源电极到漏电极的延伸方向延伸；并且，

所述一个或多个不规则体沿着接触边缘的沿不平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的部分。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中，接触边缘的所述部分沿着与有源层的所述延伸方向实质上正交的方向延伸。

11.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，有源层实质上沿着从源电极到漏电极的延伸方向延伸；并且，

所述一个或多个不规则体沿着接触边缘的沿实质上平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的部分。

12.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，有源层实质上沿着从源电极到漏电极的延伸方向延伸；并且，

所述一个或多个不规则体沿着接触边缘的沿不平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的第一部分，并且沿着接触边缘的沿实质上平行于有源层的所述延伸方向的方向延伸的第二部分。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述一个或多个不规则体中的至少一个的沿着实质上平行于有源层的表面的平面的截面具有多边形形状。

14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述一个或多个不规则体中的至少一个的沿着实质上平行于有源层的表面的平面的截面具有圆形形状。

15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，其包括：

栅电极，其位于基底基板上；和

栅绝缘层，其位于栅电极的远离基底基板的一侧；

其中，有源层位于栅绝缘层的远离栅电极的一侧。

16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括位于沟道部分上的刻蚀阻挡层。