[发明专利]摄像装置和摄像装置制造方法有效
| 申请号: | 201780002162.0 | 申请日: | 2017-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN107851654B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 中沟正彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 | ||
本发明为了降低包含多个半导体芯片的摄像装置中的噪声的影响而提供了摄像装置及摄像装置制造方法。在该摄像装置中,第一半导体芯片包括:信号输入晶体管,其控制端子被输入有作为与入射光对应的信号的输入信号;参考输入晶体管,其与信号输入晶体管形成差分对,且其控制端子被输入有参考信号;第一信号线,当在信号输入晶体管和参考输入晶体管一者中流动的电流响应于输入信号和参考信号之间的差分而变化时,第一信号线将该电流的变化作为输入信号和参考信号之间的比较结果而传送;与第一信号线电气连接的第一焊盘。第二半导体芯片包括:处理比较结果的处理电路;与处理电路电气连接且将比较结果传送到处理电路的第二信号线;与第二信号线及第一焊盘电气连接的第二焊盘。
技术领域
本技术涉及摄像装置以及摄像装置制造方法,具体地,涉及包含多个半导体芯片的摄像装置以及该摄像装置的制造方法。
背景技术
在现有技术中,为了使摄像装置小型化并且提高像素的开口率,使用了通过把其中配置有像素的半导体芯片和其上安装有周边电路的半导体芯片层叠起来而构造成的摄像装置。例如,已经提出了通过把如下的第一半导体芯片和第二半导体芯片层叠而构造出来的摄像装置:在该第一半导体芯片上以2维格子形状配置有像素,并且该第一半导体芯片输出模拟图像信号;该第二半导体芯片用于处理所输出的所述模拟图像信号(例如,参见专利文献1)。在该现有技术中,在第二半导体芯片上以2维格子形状配置有模数转换器,并且从第一半导体芯片输出的模拟图像信号被直接输入到第二半导体芯片的模数转换器。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开JP2013-179313A
发明内容
要解决的技术问题
在上述现有技术中,由于像素和模数转换器被配置在不同的半导体芯片上,因此存在从像素的输出端子到模数转换器的输入端子的配线变长的问题。由于具有相对较低信号电平的模拟图像信号是经由该配线而被传送的,所以在上述现有技术中存在容易受到噪声影响的问题。
本技术是鉴于上述这种情况而被完成的,并且本技术能够降低含有多个半导体芯片的摄像装置中的噪声的影响。
解决技术问题的技术方案
本技术是为了解决以上问题而提出的。
本技术一个方面的摄像装置包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片被构造成包括信号输入晶体管、参考输入晶体管、第一信号线和第一焊盘。关于所述信号输入晶体管,作为与入射光对应的信号的输入信号被输入至所述信号输入晶体管的控制端子。关于所述参考输入晶体管,所述参考输入晶体管与所述信号输入晶体管一起形成差分对,且参考信号被输入至所述参考输入晶体管的控制端子。关于所述第一信号线,当在所述信号输入晶体管和所述参考输入晶体管之中的一者中流动的电流响应于所述输入信号和所述参考信号之间的差分而变化时,所述第一信号线将所述电流的变化作为所述输入信号和所述参考信号之间的比较结果而传送。关于所述第一焊盘,其与所述第一信号线电气连接。此外,所述第一半导体芯片包括设置于第一行中的传输门和溢出门,所述信号输入晶体管和所述参考输入晶体管设置于第二行中,且光电二极管位于所述第一行与所述第二行之间。所述第二半导体芯片被构造成包括:处理电路,所述处理电路对所述比较结果进行处理;第二信号线,所述第二信号线与所述处理电路电气连接,且用于将所述比较结果传送到所述处理电路;和第二焊盘,所述第二焊盘与所述第二信号线电气连接、且与所述第一焊盘电气连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





