[发明专利]摄像装置和摄像装置制造方法有效
| 申请号: | 201780002162.0 | 申请日: | 2017-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN107851654B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 中沟正彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 | ||
1.一种摄像装置,包括:
第一半导体芯片,其被构造成包括:
信号输入晶体管,作为与入射光对应的信号的输入信号被输入至所述信号输入晶体管的控制端子;
参考输入晶体管,所述参考输入晶体管与所述信号输入晶体管一起形成差分对,且参考信号被输入至所述参考输入晶体管的控制端子;
第一信号线,当在所述信号输入晶体管和所述参考输入晶体管之中的一者中流动的电流响应于所述输入信号和所述参考信号之间的差分而变化时,所述第一信号线将所述电流的变化作为所述输入信号和所述参考信号之间的比较结果而传送;和
第一焊盘,所述第一焊盘与所述第一信号线电气连接,
其中所述第一半导体芯片包括设置于第一行中的传输门和溢出门,所述信号输入晶体管和所述参考输入晶体管设置于第二行中,且光电二极管位于所述第一行与所述第二行之间;以及
第二半导体芯片,其被构造成包括:
处理电路,所述处理电路对所述比较结果进行处理;
第二信号线,所述第二信号线与所述处理电路电气连接,且用于将所述比较结果传送到所述处理电路;和
第二焊盘,所述第二焊盘与所述第二信号线电气连接、且与所述第一焊盘电气连接。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述第一焊盘和所述第二焊盘通过热压结合而电气连接。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述第一半导体芯片进一步包括:恒流电源,所述恒流电源控制在所述信号输入晶体管中流动的电流和在所述参考输入晶体管中流动的电流。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述第一半导体芯片进一步包括:负载部,所述负载部将所述电流的变化转换成电压的变化,
并且所述第一信号线将所述电压的变化作为所述比较结果而传送。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述处理电路进行如下处理:基于所输出的所述比较结果来保持与所述参考信号对应的数字信号,且将所保持的所述数字信号作为对所述输入信号进行模数转换的结果而输出。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,其中,
所述第一半导体芯片进一步包括:光电转换器,所述光电转换器生成所述输入信号,且所述光电转换器包括所述光电二极管、所述传输门和所述溢出门,
并且所生成的所述输入信号被输入至所述信号输入晶体管的所述控制端子。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,进一步包括:设置于所述光电二极管与所述第二行之间的分离区域。
8.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,所述分离区域由二氧化硅形成。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,进一步包括:设置于所述第二行中的第一MOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,进一步包括:设置于所述第二行中的第二MOS晶体管。
11.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,所述第一MOS晶体管设置于所述第二MOS晶体管与所述信号输入晶体管之间。
12.根据权利要求11所述的摄像装置,其中,所述信号输入晶体管设置于所述第一MOS晶体管与所述参考输入晶体管之间。
13.根据权利要求12所述的摄像装置,其中,所述信号输入晶体管的漏极区域经由通路插塞连接至所述第一焊盘。
14.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,所述信号输入晶体管和所述参考输入晶体管每一者在平面图中都大于所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管每一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





