[发明专利]低聚硅烷的制造方法

说明书

本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法，即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷。

技术领域

本发明涉及低聚硅烷的制造方法，更详细地说，涉及使氢化硅烷脱氢 缩合而生成低聚硅烷的方法。

背景技术

乙硅烷是代表性的低聚硅烷，是作为用于形成硅膜的前体等有用的化 合物。

作为制造低聚硅烷的方法已经报告了，硅化镁的酸分解法(参照非专利 文献1)、六氯乙硅烷的还原法(参照非专利文献2)、单硅烷的放电法(参照 专利文献1)、硅烷的热分解法(参照专利文献2～4)、以及使用催化剂的硅 烷脱氢缩合法(参照专利文献5～10)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第5478453号说明书

专利文献2：日本专利第4855462号公报

专利文献3：日本特开平11-260729号公报

专利文献4：日本特开平03-183614号公报

专利文献5：日本特开平01-198631号公报

专利文献6：日本特开平02-184513号公报

专利文献7：日本特开平05-032785号公报

专利文献8：日本特开平03-183613号公报

专利文献9：日本特表2013-506541号公报

专利文献10：国际公开第2015/060189号

非专利文献

非专利文献1：Hydrogen Compounds of Silicon.I.The Preparation of Mono-and Disilane,WARREN C.JOHNSON and SAMPSON ISENBERG,J.Am.Chem.Soc.,1935,57,1349.

非专利文献2：The Preparation and Some Properties of Hydrides ofElements of the Fourth Group of the Periodic System and of their OrganicDerivatives,A.E.FINHOLT,A.C.BOND,J R.,K.E.WILZBACH and H. I.SCHLESINGER,J.Am.Chem.Soc.,1947,69,2692.

发明内容

发明要解决的课题

作为低聚硅烷的制造方法被报告出来的硅化镁的酸分解法、六氯乙硅 烷的还原法、单硅烷的放电法等方法，通常有制造成本容易变高的倾向， 此外、硅烷的热分解法、以及使用催化剂的脱氢缩合法等，在选择性合成 乙硅烷等特定低聚硅烷方面尚存改善的余地。

本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法、即 与不使用催化剂的情况相比、能够以高收率制造低聚硅烷的方法。

解决课题的手段

本发明人为了解决前述课题而进行了深入研究，结果发现，使氢化硅 烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元 素、第5族过渡元素、第6族过渡元素、和第7族过渡元素中的至少1种 过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷，从而完成本 发明。