[发明专利]低聚硅烷的制造方法

权利要求书

1.一种乙硅烷的制造方法，其特征在于，包含使氢化硅烷脱氢缩合而生成乙硅烷的反应工序，所述反应工序在催化剂的存在下进行，所述催化剂含有选自钛、钒、铌、铬、钼和钨中的至少1种过渡元素，

所述催化剂含有作为载体的沸石，在所述沸石的表面和/或内部还含有选自元素周期表第1主族元素和第2主族元素中的至少1种主族元素。

2.如权利要求1所述的乙硅烷的制造方法，所述催化剂是含有载体的不均一催化剂，在所述载体的表面和/或内部含有所述过渡元素。

3.如权利要求1所述的乙硅烷的制造方法，所述沸石具有短径为0.43nm以上、长径为0.69nm以下的细孔。

4.如权利要求1所述的乙硅烷的制造方法，所述载体是粉末的球状或圆柱状的成型体，其含有沸石和作为粘合剂的氧化铝，所述沸石具有短径为0.43nm以上、长径为0.69nm以下的细孔，所述氧化铝的含量相对于不含氧化铝和过渡元素的所述载体100质量份为10质量份以上30质量份以下。

5.如权利要求1所述的乙硅烷的制造方法，所述过渡元素为选自钼和钨中的至少1种过渡元素。

6.如权利要求1所述的乙硅烷的制造方法，所述过渡元素的总含量和所述主族元素的总含量相对于含有所述过渡元素和所述主族元素的状态的所述沸石是满足下式(1)的条件的量，

式(1)中，AM/Al表示将所述沸石中含有的所述主族元素的总原子数除以所述沸石中含有的铝的原子数所得的原子比，TM/Al表示将所述沸石中含有的过渡元素的总原子数除以所述沸石中含有的铝的原子数所得的原子比。

7.如权利要求1所述的乙硅烷的制造方法，所述主族元素的总含量相对于含有所述过渡元素和所述主族元素的状态的所述沸石的质量为2.1质量％以上10质量％以下。

8.如权利要求6所述的乙硅烷的制造方法，所述主族元素的总含量相对于含有所述过渡元素和所述主族元素的状态的所述沸石的质量为2.1质量％以上10质量％以下。

9.一种乙硅烷的制造方法，其特征在于，包含使氢化硅烷脱氢缩合而生成乙硅烷的反应工序，所述反应工序在催化剂的存在下进行，所述催化剂含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素，

并且，所述催化剂是含有载体的不均一催化剂，在所述载体的表面和/或内部含有所述过渡元素，并且所述催化剂含有作为载体的沸石，在所述沸石的表面和/或内部还含有选自元素周期表第1主族元素和第2主族元素中的至少1种主族元素。

10.如权利要求9所述的乙硅烷的制造方法，所述沸石具有短径为0.43nm以上、长径为0.69nm以下的细孔。

11.如权利要求9所述的乙硅烷的制造方法，所述载体是粉末的球状或圆柱状的成型体，其含有沸石和作为粘合剂的氧化铝，所述沸石具有短径为0.43nm以上、长径为0.69nm以下的细孔，所述氧化铝的含量相对于不含氧化铝和过渡元素的所述载体100质量份为10质量份以上30质量份以下。

12.如权利要求9～11中任一项所述的乙硅烷的制造方法，所述过渡元素为选自钛、钒、铌、铬、钼、钨和锰中的至少1种过渡元素。

13.如权利要求9～11中任一项所述的乙硅烷的制造方法，所述过渡元素的总含量和所述主族元素的总含量相对于含有所述过渡元素和所述主族元素的状态的所述沸石是满足下式(1)的条件的量，

式(1)中，AM/Al表示将所述沸石中含有的所述主族元素的总原子数除以所述沸石中含有的铝的原子数所得的原子比，TM/Al表示将所述沸石中含有的过渡元素的总原子数除以所述沸石中含有的铝的原子数所得的原子比。