[实用新型]光电器件

说明书

本实用新型公开了一种光电器件衬底和光电器件。光电器件衬底包括衬底基部和通过外延形成在衬底基部上的硅单晶层。使用外延的光单晶层作为光电器件的衬底可以显著降低成本和工艺难度，并且可以实现大尺寸衬底，降低批量生产的成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，具体地涉及一种光电器件衬底和光电器件。

背景技术

目前业界光电器件采用区熔法制作的高阻硅单晶片，相比直拉法制造硅单晶，纯度得到了很大的提高，材料晶格缺陷也大为减少，少子寿命也显著增加，但是对于光电器件制造来说，采用高阻硅单晶片，其高电阻率不易控制，一般误差比较大，对于片间及片内器件一致性较差。导致在光电器件制造领域，硅单晶材料是个技术门槛。国外光电器件制造厂家，单晶硅要么自己研发制造，要么委托专业厂家开发，开发工艺难度很大，制造技术和工艺保密，对行业发展不利。而且这类高阻硅单晶片子尺寸很难扩展到8寸及以上尺寸，对成本控制不利。采用硅外延片作为光电器件基材，能够有效提高器件性能，降低器件成本，而且相对高性能高阻硅单晶片，国内外材料供应商也较多。

实用新型内容

根据本实用新型的一个方面，提供一种光电器件衬底，包括衬底基部和通过外延形成在衬底基部上的硅单晶层。

在一个实施例中，衬底基部是半导体。

在一个实施例中，衬底基部是硅多晶。

在一个实施例中，衬底基部是硅单晶。

在一个实施例中，硅单晶层厚度为5-200um。

在一个实施例中，硅单晶层的电阻率在200-1000欧姆/厘米范围内。

根据本实用新型的另一个方面，提供一种光电器件，包括上述的光电器件衬底和形成在硅单晶层上的光电元件。

在一个实施例中，光电器件还包括形成在光电元件上的氮化硅层。

在一个实施例中，光电器件还包括氧化硅层。

附图说明

图1为根据本实用新型一个实施例的光电器件衬底；

图2为根据本使用新型的一个实施例的光电器件。

具体实施方式

尽管本实用新型容许各种修改和可替换的形式，但是它的具体的实施例通过例子的方式在附图中示出，并且将详细地在本文中描述。然而，应该理解，随附的附图和详细的描述不是为了将本实用新型限制到公开的具体形式，而是相反，是为了覆盖落入由随附的权利要求限定的本实用新型的精神和范围中的所有的修改、等同形式和替换形式。附图是为了示意，因而不是按比例地绘制的。

下面根据附图说明根据本实用新型的多个实施例。

如图1所示，本实用新型的实施例提供一种光电器件衬底，包括衬底基部1和通过外延形成在衬底基部1上的硅单晶层2。

在传统的光电器件中使用的衬底一般是蓝宝石或化合物半导体，这些衬底成本高。使用硅单晶衬底作为光电器件的衬底可以一定程度降低成本，然而，在高阻硅片领域内，生长电阻率一致性较好、缺陷教少的硅材，技术上的难度也很大，并且随着衬底尺寸增大成本更高，例如8寸片甚至更大的硅单晶制作成本显著增高，并且硅单晶的电阻率不容易控制，少子寿命不容易控制，导致形成在器件上的光电器件的漏电流大。

本公开避免使用硅单晶或化合物半导体晶体或蓝宝石等衬底，使用衬底基部1作为机械支撑，在衬底基部1上外延硅单晶层2作为器件的衬底，可以替代现有的成本较高的单晶硅或化合物半导体衬底。