[实用新型]光电器件有效
| 申请号： | 201721892050.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN211125666U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张文剑;张清军;邹湘;何会绍 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电器件，包括光电器件衬底和形成在光电器件衬底上的光电元件，其中，
光电器件衬底包括：
光电器件的衬底基部；和
通过外延形成在光电器件的衬底基部上的硅单晶层；
其中，光电元件形成在光电器件衬底的硅单晶层上。
2.根据权利要求1所述的光电器件，还包括形成在光电元件上的氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的光电器件，还包括氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的光电器件，其中，衬底基部是半导体。
5.根据权利要求4所述的光电器件，其中，衬底基部是硅多晶。
6.根据权利要求4所述的光电器件，其中，衬底基部是硅单晶。
7.根据权利要求1所述的光电器件，其中，硅单晶层厚度为5-200um。
8.根据权利要求1所述的光电器件，其中，硅单晶层的电阻率在200-1000欧姆/厘米范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
