[实用新型]实现过大电流的MOS管结构有效
| 申请号： | 201721890799.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207743217U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑晓红;张斌;毛刚挺;许阳斌 | 申请（专利权）人： | 杭州士腾科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/49 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装本体 电路板 导热层 固定孔 散热外壳 第二表面 大电流 固定件 本实用新型 第一表面 光滑表面 焊接连接 基极引脚 内部延伸 散热 引脚 穿过 传递 外部 | ||
1.一种实现过大电流的MOS管结构，其特征在于，包括：
电路板，电路板上具有MOS管驱动电路和多个第一固定孔；
MOS管，包括封装本体和从封装本体内部延伸到封装本体外部的三个引脚，MOS管的基极引脚与MOS管驱动电路焊接连接，所述封装本体的第一表面与电路板相接触，第二表面为光滑表面，所述封装本体上具有第二固定孔；
固定件，穿过第一固定孔和第二固定孔将MOS管固定在电路板上；
导热层，设置于所述第二表面；
散热外壳，连接于所述导热层，MOS管的热量经导热层传递到散热外壳上进行散热。
2.根据权利要求1所述的实现过大电流的MOS管结构，其特征在于，所述固定件为螺丝。
3.根据权利要求1所述的实现过大电流的MOS管结构，其特征在于，所述导热层包括依次连接在光滑表面上的导热硅脂层和亚胺膜层。
4.根据权利要求1所述的实现过大电流的MOS管结构，其特征在于，MOS的三个引脚均设置在封装本体的同一侧且所述三个引脚均为贴片式引脚。
5.根据权利要求1或4所述的实现过大电流的MOS管结构，其特征在于，每一引脚均包括第一引脚段、第二引脚段以及第三引脚段，所述第一引脚段与封装本体的内部连接，所述第二引脚段连接第一引脚段和第三引脚段，所述第三引脚段与电路板焊接连接，引脚的横截面呈“Z”形。
6.根据权利要求1所述的实现过大电流的MOS管结构，其特征在于，所述电路板上的铜箔厚度为2盎司。
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