[实用新型]一种多芯片集成电路封装工艺段的固化烘烤装置有效
| 申请号: | 201721884858.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN207781547U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
| 发明(设计)人: | 曾尚文;陈久元;杨利明 | 申请(专利权)人: | 四川晶辉半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 629000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固化炉 外箱体 承接架 固化 多芯片集成电路 本实用新型 可拆卸盖板 封装工艺 烘烤装置 承接板 封装体 散热 微孔 顶部设置 废热气体 固化工艺 固化过程 集中排放 密封装配 内部设置 有效控制 导热层 拼接 封装 半导体 装配 排放 保证 | ||
本实用新型涉及一种多芯片集成电路封装工艺段的固化烘烤装置,包括固化炉外箱体,固化炉外箱体顶部设置可拆卸盖板,固化炉外箱体与可拆卸盖板密封装配,固化炉外箱体内部设置由半导体导热层板拼接而成梯形承接架,梯形承接架上均匀布设有散热微孔,梯形承接架上装配封装体承接板;封装体承接板上均匀布设有散热微孔;本实用新型对固化过程中的温度进行有效控制,提高固化效率,保证封装质量;对固化工艺段排放的废热气体进行集中排放,降低对操作人员的危害。
技术领域
本实用新型涉及多芯片集成电路封装技术领域,尤其是与一种多芯片集成电路封装工艺段的固化烘烤装置有关。
背景技术
多芯片集成电路封装后需要进行固化处理,以确保环氧树脂粘合剂与塑封体及芯片紧密结合,保证封装质量,从而保持芯片所处环境的稳定性。现有技术在进行多芯片集成电路封装件固化时,由于固化装置的设计缺陷,难以对固化过程中的温度进行有效控制,影响固化效率,与此同时,固化过程中产生的废热气体直接排放至生产车间,对操作人员的健康造成极大影响。
实用新型内容
本实用新型提供一种多芯片集成电路封装工艺段的固化烘烤装置,对固化过程中的温度进行有效控制,提高固化效率,保证封装质量;对固化工艺段排放的废热气体进行集中排放,降低对操作人员的危害。
为了实现本实用新型的目的,拟采用以下技术方案:
一种多芯片集成电路封装工艺段的固化烘烤装置,包括固化炉外箱体(1),固化炉外箱体(1)顶部设置可拆卸盖板(120),固化炉外箱体(1)与可拆卸盖板(120)密封装配,固化炉外箱体(1)内部设置由半导体导热层板拼接而成梯形承接架(2),梯形承接架(2)上均匀布设有散热微孔,梯形承接架(2)上装配封装体承接板(200);封装体承接板(200)上均匀布设有散热微孔;
所述封装体承接板(200)正下方设置环形导热腔(300),环形导热腔(300)底部设置加热腔(3),加热腔(3)底部设置热辐射式电加热基板(31),热辐射式电加热基板(31)上部与热辐射式电加热基板(31)正相对的位置设置半导体散热器(32),半导体散热器(32)与热辐射式电加热基板(31)之间预设有2~3cm的垂直间隙;
所述半导体散热器(32)与环形导热腔(300)最底端设置有1~2cm垂直间隙;
所述加热腔(3)两侧端设置有对向布设的左侧端轴流风机(301)和右侧端轴流风机(302);
所述固化炉外箱体(1)与梯形承接架(2)之间的间隙之间布设有对象设置的左侧端引风机(101)和右侧端引风机(102);
所述固化炉外箱体(1)外接有循环风机(4),循环风机(4)进风端与固化炉外箱体(1)的顶部连通,固化炉外箱体(1)出风端与加热腔(3)底部连通;
所述固化炉外箱体(1)顶部设置电磁阀式调温排气管(100),固化炉外箱体(1)内部设置有温度传感器(103),温度传感器(103)外接PLC控制器(5),PLC控制器(5)与电磁阀式调温排气管(100)连接,所述电磁阀式调温排气管(100)的出气口端通过引风管连接至废热气处理烟囱。
进一步,所述固化炉外箱体(1)设置为透明体结构。
进一步,所述封装体承接板(200)通过轨道槽可拆卸地装配于梯形承接架(2)上。
本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





