[实用新型]一种基板处理装置有效
申请号: | 201721874620.3 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN207781546U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 赵康一 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲器 基板处理装置 收容 供给药液 移送泵 涂覆 被处理基板 本实用新型 基板 配管 加压 | ||
本实用新型涉及一种基板处理装置,其包括:收容缓冲器,其收容向被处理基板的表面供给的药液;药液移送泵,其依靠重力通过从所述缓冲器延长的第一配管得到药液的供给,从而供给药液,并且位于所述收容缓冲器的下侧,从而提供如下一种基板处理装置,利用药液的位能从收容缓冲器向药液移送泵供给药液,据此,防止因用气体来加压而以在药液内产生气泡的状态进行涂覆,从而提高基板的涂覆质量。
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理装置,更加详细地涉及一种基板处理装置,为了在被处理基板表面涂覆药液,在供给药液的过程中减少流入至药液的气泡的含量。
背景技术
在制造LCD等平板显示器的工艺中,伴随在由玻璃等制作的被处理基板的表面涂覆抗蚀剂等药液的涂覆工艺。尤其,最近涂覆于被处理基板的表面的药液的粘度逐渐变高,据此气泡的产生对药液涂覆质量产生的影响逐渐变大。
在平板显示器的尺寸小的现有技术中,使用了如下旋转涂覆方法:在被处理基板的中央部涂覆药液的同时,使得被处理基板旋转,据此,在被处理基板的表面涂覆药液。
但是,随着显示器画面的尺寸逐渐成为大型化,几乎不使用旋转涂覆方式,而使用如下方式的涂覆方法:使得具有与被处理基板的宽度相对应的长度的狭缝形态的药液喷嘴和被处理基板进行相对移动,同时从药液喷嘴向被处理基板的表面涂覆药液。
换句话说,如图1所示,基板处理装置8包括:平台60,其支撑基板G;药液喷嘴70,其以与基板G的宽度一样长的宽度形成,并且沿着用附图标号70d来表示的方向与基板G进行相对移动,从而在基板G的表面以一定厚度涂覆药液99;药液供给装置80,其向药液喷嘴70供给药液99。
就如此构成的基板处理装置8而言,将基板G和药液喷嘴70进行相对移动的同时在基板G的表面涂覆药液99的一次工艺中所使用的量的药液99填充于药液分配泵1后,通过药液喷嘴70涂覆药液。更加具体地,如图2所示,使得药液99从筒90填充至缓冲器81,通过开放泵填充阀83a而从缓冲器81通过药液供给管83向药液分配泵82内部的腔室(未图示)填充将要在一次基板涂覆工艺中使用的量的药液99后,开放喷嘴开闭阀83b,从而在基板G和药液喷嘴20进行相对移动70d的同时,在基板G的表面涂覆药液99。
此时,如图3所示,为了将从筒90通过供给管90L向附图标号99x1供给后填充于缓冲器81的药液99供给至药液分配泵82,在缓冲器81的上侧加压高压的氮气,被气体加压的药液通过药液供给管83移动至药液分配泵1。
但是,在用气体对填充于缓冲器81的药液99进行加压的过程中,由于根据亨利定律的气体的量流入至药液99,因此导致如下问题:移送至药液分配泵1的药液99中含有气泡99a,同时降低药液的涂覆质量。尤其,随着药液99的粘度逐渐变高,药液99中含有的气泡99a对被处理基板的涂覆质量产生更加大的不良影响,因此迫切需要一种更加降低在涂覆于被处理基板G的药液99中所含有的气泡的含量的方案。
实用新型内容
为了解决如上所述的问题,本实用新型的目的在于,在被处理基板的表面涂覆药液的工艺中,抑制因含有气泡的药液涂覆于被处理基板而导致涂覆质量下降。
据此,其目的在于,更加可靠地提高在被处理基板的表面上的药液涂覆质量,并且提高工艺的效率。
为了实现如上所述的目的,本实用新型提供一种基板处理装置,基板处理装置在被处理基板的表面涂覆药液,所述基板处理装置的特征在于,包括:收容缓冲器,其收容向所述被处理基板的表面供给的药液;药液移送泵,其通过从所述缓冲器延长的第一配管得到药液的供给,从而供给药液,并且位于与所述收容缓冲器相同的高度或者下侧;药液喷嘴,其将从所述药液移送泵得到供给的药液涂覆于所述被处理基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造