[实用新型]一种超薄型快速恢复整流器半导体封装模具有效
| 申请号: | 201721867301.X | 申请日: | 2017-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN207719146U | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
| 发明(设计)人: | 宋岩 | 申请(专利权)人: | 大连泰一半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 116600 辽宁省大连市经*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 快速恢复整流器 半导体封装模具 超薄型 本实用新型 上模固定板 下模固定板 半导体元器件 环氧树脂封装 环氧树脂原料 封装模具 加工效率 螺旋推料 上模型腔 下模型腔 中心流道 固定块 有效地 中心板 顶杆 上模 下模 元器 电子产品 半导体 芯片 制作 应用 | ||
本实用新型涉及一种超薄型快速恢复整流器半导体封装模具,主要包括上模固定板、下模固定板和螺旋推料顶杆固定块;所述上模固定板上安装有上模型腔块和上模中心流道;所述下模固定板上安装有下模型腔块和下模中心板。本实用新型所述的超薄型快速恢复整流器半导体封装模具,可有效地使快速恢复整流器芯片被环氧树脂封装保护起来,并能大幅降低封装模具的使用成本,高效地利用环氧树脂原料,大大降低制作的成本,提高加工效率,提高半导体元器稳定性与可靠性。可以使国产的快速恢复整流器半导体元器件应用到更多的电子产品当中。
技术领域
本实用新型涉及大散热片半包超薄整流器集成电路封装技术领域,具体来说,涉及一种超薄型快速恢复整流器半导体封装模具。
背景技术
目前我国主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板;模块及集成元件全部采用进口,而可控硅快恢复整流器,是一种常用的电力半导体电子器件,具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力。从结构上说,它是一种反向截止三极管型的闸流晶体管,由三个PN结构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极,典型大电流可控硅整流器,其正向特性,在一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态,当正向瞬间电压大于转折电压时,器件迅速转变到低电压大电流的通导状态。这种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻节能显著,可靠性高,具有自动稳压、稳流,稳定精度优越等诸多优点。而我国半导体企业在生产超薄型快速恢复整流器半导体元器件过程中,受到传统制作工艺与封装模具的影响,生产的快速恢复整流器半导体元器问题较多,主要是制作传统封装模具成本较高,一旦损坏损失较大,而且在产品质量控制上有一定的欠缺,所以制作出来的快速恢复整流器半导体元器成本较高,有些已经超过了进口元器件的价格,不能很好的满足市场的需求。
实用新型内容
为解决传统整流器半导体封装模具制作成本高,一旦损坏损失较大,不能有效地控制环氧树脂的使用量,导致封装成型后的快速恢复整流器半导体元器件成本较高,不能同进口的整流器半导体元器件进行竞争,市场占有率较低等问题,本实用新型提供了一种超薄型快速恢复整流器半导体封装模具。
为解决上述技术问题,本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
本实用新型所述的一种超薄型快速恢复整流器半导体封装模具,主要包括上模固定板、下模固定板和螺旋推料顶杆固定块;
所述上模固定板上安装有上模型腔块和上模中心流道;所述下模固定板上安装有下模型腔块和下模中心板;
所述下模中心板中安装有多组下模注料筒,将带有快速恢复整流芯片的框架放置在下模固定板中的下模型腔块上,在工作合模下,使上模固定板与下模固定板闭合,下模型腔块控制所述框架与上模型腔块贴合,用多组下模注料筒中的螺旋推料顶杆,均匀推进环氧树脂材料,使环氧树脂材料依次经过下模注料筒和上模中心流道,通过浇口填充到下模型腔块中的下模型腔条内。使环氧树脂材料能够完整的包封、快速恢复整流芯片,又可使所述框架的散热片一侧没有环氧树脂材料,提高芯片的散热功能,形成一个完整的薄型快速恢复整流器半导体元器件。
所述下模型腔块中安装有多个下模型腔条,将环氧树脂材料填充入由下模型腔块与所述下模型腔条组合产生的空腔内,来包封快速恢复整流芯片。
所述下模型腔条损坏可以单独更换,降低整个模具的维修成本。
所述螺旋推料顶杆的推料部位为螺旋形状,推料时使环氧树脂材料能快速推出下模注料筒。
所述螺旋推料顶杆能够减小与下模注料筒之间的摩擦,提高两者的使用寿命,螺旋推料顶杆能够做螺旋运动,使下模注料筒中无环氧树脂材料无残留。螺旋推料顶杆使得推料更干净,起到了节约环氧树脂的使用,降低了快速恢复整流器半导体元器件制造成本。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连泰一半导体设备有限公司,未经大连泰一半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721867301.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:植物照明脉冲金卤灯
- 下一篇:一种带有散热的半导体塑封用模具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





