[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型涉及一种基板处理装置，基板处理装置包括研磨垫、监控部以及控制部，研磨垫用于对基板的研磨层进行研磨，监控部对研磨垫的温度信息进行监控，控制部基于研磨垫的温度信息对基板的研磨结束时间进行控制，据此可获得如下有利效果：精确地对基板的研磨厚度进行控制，并且使得研磨效率提高。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，更加具体地涉及一种基板处理装置，其精确地对基板的研磨厚度进行控制，并且能够使得研磨效率提高。

背景技术

通常，化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)工艺是为了使得晶元等基板以接触于进行旋转的研磨平板上的状态旋转的同时进行机械研磨并达到事先规定的厚度，从而使得基板的表面变得平坦的工艺。

为此，如图1及图2所示，化学机械研磨装置1使得研磨垫11以覆盖于研磨平板10的状态进行自转的同时，利用载体头20向研磨垫11的表面加压基板W的同时进行旋转，从而平坦地对基板W的表面进行研磨。为此，设置有调质器30，调质器30以使得研磨垫11的表面保持一定状态的形式进行回旋运动，并同时进行对调质盘31的加压和旋转，同时对研磨垫11进行改质，并且进行化学研磨的研磨液通过研磨液供给管40供给至研磨垫11的表面。

在化学机械研磨工艺中，对基板W的研磨层厚度进行监控，直到达到目标厚度为止，使得基板W的研磨层厚度分布均匀，同时如果达到目标厚度，则需要结束化学机械研磨工艺。

在现有技术中，作为人们所熟知的决定基板的研磨结束时间的方式中的一种，有如下方式：利用传感器50对基板W的研磨层厚度进行测量，基于传感器50测量的信号对基板的研磨结束时间进行决定。传感器50设置于研磨垫11上，在研磨垫11旋转11d一圈的同时，每当传感器50通过基板W的下侧时，传感器50接收到含有基板W的研磨层厚度信息的信号。

例如，当基板W的研磨层由作为导电性材料的钨等金属材料形成时，作为传感器50，可使用涡电流传感器，涡电流传感器通过施加涡电流而从涡电流信号的阻抗、电抗、电感、相位差中任意一种以上的变动量中感知基板W的研磨层的厚度。

但是，利用涡电流传感器测量的信号对基板的研磨结束时间进行决定的方式存在如下问题：不仅对涡电流传感器测量的信号进行运算的过程非常复杂，而且在执行运算过程时消耗很多时间，因为由于研磨垫的厚度变动而导致的涡电流信号的误差，所以错误地识别基板研磨层的厚度分布及研磨结束时间的可能性大。

在现有技术中，作为人们所熟知的决定基板的研磨结束时间的方式中的另一种，有如下方式：对向研磨垫11的表面加压基板W的同时使得基板W旋转的载体头20的力矩变化进行检测，从而决定基板的研磨结束时间。

但是，载体头20的力矩变化不仅因基板W的研磨层的材料而且还可以因施加给基板的加压力等多种因素而产生，因此存在的问题在于，很难基于载体头20的力矩变化而精确地决定基板W的研磨结束时间。尤其，在短时间内测量载体头20的力矩变化，并根据测量的结果而决定基板W的研磨结束时间，这个实质上存在非常难的问题。

为此，最近进行了用于精确地检测基板的研磨厚度并精确地控制研磨结束时间的多种研究，但是这还不够，因此要求对此的开发。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种基板处理装置，其能够精确地对基板的研磨厚度进行控制，并且使得研磨效率提高。

该基板处理装置，其特征在于，包括：研磨垫，其用于对基板的研磨层进行研磨；

监控部，其对所述研磨垫的温度信息进行监控；控制部，其基于所述研磨垫的温度信息对所述基板的研磨结束时间进行控制。