[实用新型]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

研磨垫，其用于对基板的研磨层进行研磨；

监控部，其对所述研磨垫的温度信息进行监控；

控制部，其基于所述研磨垫的温度信息对所述基板的研磨结束时间进行控制。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

存储部，其对按照所述研磨垫的使用时间而产生的所述研磨垫的基准温度梯度进行存储，

所述控制部基于所述监控部测量的所述研磨垫的测量温度梯度和所述基准温度梯度间的温度梯度偏差对所述基板的研磨结束时间进行控制。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨层包括：

第一膜层，其形成有间隔图案；

第二膜层，其由与所述第一膜层不同的材料形成，填充于所述间隔图案，并且形成为覆盖所述第一膜层，

所述监控部对随着所述第一膜层的表面露出至所述研磨垫而引起的所述研磨垫的温度变化进行监控。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一膜层和所述第二膜层中任意一个以上由金属材料形成。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一膜层和所述第二膜层中任意一个以上由非金属材料形成。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一膜层由氧化物(SiO₂)或者氮化物(SiN)形成，

所述第二膜层由钨(W)形成。

7.根据权利要求1-6任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述研磨垫进行自转，所述监控部根据所述研磨垫的自转方向配置于所述基板的前方，

所述监控部在通过所述基板后向外部露出的所述研磨垫的露出部位立即测量所述研磨垫的温度信息。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述监控部包括：

非接触式传感器，其以非接触式对所述研磨垫的所述温度信息进行测量。

9.根据权利要求1至6中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述监控部包括：

接触式传感器，其以接触式对所述研磨垫的温度信息进行测量。

10.根据权利要求1至6中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

调节部，其基于所述研磨垫的温度信息对所述基板的研磨参数进行调节。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述调节部对载体头研磨参数、调质器研磨参数、研磨液供给部研磨参数中任意一种以上进行调节，载体头研磨参数与向所述研磨垫加压所述基板的载体头有关，调质器研磨参数与对所述研磨垫进行改质的调质器有关，研磨液供给部研磨参数与向所述基板供给研磨液的研磨液供给部有关。