[实用新型]光刻装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻装置。本实用新型提供了一种光刻装置，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。本实用新型减少了所述支撑臂与光罩的接触面积，从而降低了所述支撑臂的磨损变形。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻装置。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构，而称为有特定电性功能的集成电路产品。

光刻是晶圆制造过程中的一个关键步骤，其主要作用是将光罩上的图形复制到晶圆上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。一般的光刻工艺要经过清洗、烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

目前，在对晶圆进行光刻的过程中，当从光罩盒或者光罩工作台装载光罩时，光刻装置中的支撑臂会通过气缸的作用伸出以承载所述光罩，光罩转移到支撑臂的过程中，光罩会沿所述支撑臂滑行一段距离，从而造成光罩与支撑臂之间的相互摩擦。目前，光罩的主要材质是石英，耐磨性较好，但是支撑臂为平板状且其主要为铝合金材质，耐磨性较差。光罩与所述支撑臂接触面积较大，两者长期相互摩擦会使得所述支撑臂的接触表面发生磨损变形并产生颗粒，造成光刻装置内真空异常、颗粒超标等问题，导致光罩以及光刻装置的污染，影响晶圆产品的质量。

因此，如何减少光刻机内支撑臂的磨损变形，增强支撑臂的使用寿命，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种光刻装置，用以解决现有技术中光刻装置内的支撑臂易发生磨损变形的问题，以增加支撑臂的使用寿命，并确保晶圆产品的质量。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种光刻装置，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。

优选的，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度大于所述第二表面的宽度。

优选的，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度等于所述第二表面的宽度。

优选的，所述第二表面的宽度小于5mm。

优选的，所述第二表面的宽度为1.5mm。

优选的，所述凸起的轴线与所述基底的轴线重合。

优选的，所述凸起的高度为0.5mm～4mm。

优选的，所述基底与所述凸起采用一体成型工艺制作而成。

优选的，所述支撑臂采用耐磨材料制作而成。

优选的，所述耐磨材料为聚醚醚酮。