[实用新型]光刻装置有效
| 申请号： | 201721857232.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN207611235U | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 葛伟伟;柯汎宗;沈雪;黄志凯 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑臂 光罩 本实用新型 光刻装置 凸起 半导体制造技术 基底表面 磨损变形 支撑 基底 减小 | ||
1.一种光刻装置，其特征在于，包括用于支撑光罩的支撑臂；所述支撑臂包括基底以及设置于所述基底表面的凸起，所述凸起用于与所述光罩接触并支撑所述光罩，以减小所述光罩与所述支撑臂的接触面积。
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度大于所述第二表面的宽度。
3.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述凸起包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述基底连接，所述第二表面用于与所述光罩接触，且所述第一表面的宽度等于所述第二表面的宽度。
4.根据权利要求2或3所述的光刻装置，其特征在于，所述第二表面的宽度小于5mm。
5.根据权利要求4所述的光刻装置，其特征在于，所述第二表面的宽度为1.5mm。
6.根据权利要求2或3所述的光刻装置，其特征在于，所述凸起的轴线与所述基底的轴线重合。
7.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述凸起的高度为0.5mm～4mm。
8.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述基底与所述凸起采用一体成型工艺制作而成。
9.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述支撑臂采用耐磨材料制作而成。
10.根据权利要求9所述的光刻装置，其特征在于，所述耐磨材料为聚醚醚酮。
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