[实用新型]晶圆研磨设备

说明书

一种晶圆研磨设备，包括：外壳体和设置于所述外壳体内、适于对晶圆进行研磨的研磨机构；所述外壳体包括环绕研磨机构的多个侧壁，其中至少一个所述侧壁上设有门，所述门的边沿与所述侧壁之间形成缝隙，所述外壳体还包括挡片，所述挡片的一端设置于所述门或具有所述门的所述侧壁，所述挡片位于所述侧壁和门的内侧，且朝向所述缝隙延伸，使至少一部分所述缝隙落入所述挡片在垂直于所述缝隙的水平方向上的投影内。挡片能够遮挡缝隙，甩向缝隙位置处的研磨液能够被挡片所阻挡，飞溅至缝隙位置处的清洗液同样能够被挡片所阻挡，从而避免研磨液或清洗液从缝隙流出至外界，不会对外界环境造成污染，不会影响研磨设备的正常运行。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种晶圆研磨设备。

背景技术

在半导体制造技术领域，某些情况下需要使晶圆具有较薄的厚度。此时，需要利用晶圆研磨设备对晶圆进行研磨。晶圆研磨设备包括外壳体和设置在外壳体内适于对晶圆进行研磨的研磨机构。

在研磨过程中，通常需要利用研磨液对晶圆的表面进行化学腐蚀，研磨机构会将研磨液甩向外壳体的侧壁；晶圆研磨完成后，通常需要利用清洗液对研磨机构进行清洗，清洗液同样会飞溅至外壳体的侧壁。

现有技术中，晶圆研磨设备外壳体的侧壁上设有门，门和侧壁之间不可避免的会存在缝隙，使得研磨液或清洗液会通过缝隙流出至外界，对外界环境造成污染，影响晶圆研磨设备正常运行。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是晶圆研磨设备在工作过程中，研磨液或清洗液会从侧壁和门的缝隙间流出，对外界环境造成污染。

为解决上述问题，本实用新型提供一种晶圆研磨设备，包括：外壳体和设置于所述外壳体内、适于对晶圆进行研磨的研磨机构；所述外壳体包括环绕研磨机构的多个侧壁，其中至少一个所述侧壁上设有门，所述门的边沿与所述侧壁之间形成缝隙，所述外壳体还包括挡片，所述挡片的一端设置于所述门或具有所述门的所述侧壁，所述挡片位于所述侧壁和门的内侧，且朝向所述缝隙延伸，使至少一部分所述缝隙落入所述挡片在垂直于所述缝隙的水平方向上的投影内。

可选的，所述门具有位于底部的下边沿，所述侧壁具有与所述下边沿相对设置的上边沿，所述下边沿、上边沿之间的空间形成所述缝隙。

可选的，所述挡片的所述一端设置于所述上边沿或所述下边沿。

可选的，所述挡片的所述一端设置于所述门的内表面；或，所述一端设置于所述侧壁的内表面。

可选的，所述挡片的所述一端设置于所述上边沿，所述挡片向上延伸的高度距离控制在15cm－25cm之间。

可选的，所述挡片的所述一端设置于所述侧壁的内表面，且位于所述门的下方，所述挡片向上延伸至使所述挡片的另一端与所述缝隙之间的高度距离控制在15cm－25cm之间。

可选的，所述挡片与所述门之间的夹角控制在0°－30°之间；和/或，所述挡片与所述侧壁之间的夹角控制在0°－30°之间。

可选的，所述挡片可拆卸的设置于所述侧壁或可拆卸的设置于所述门；或，所述挡片一体成型于所述侧壁或一体成型于所述门。

可选的，所述侧壁的内表面上设有凸起，所述凸起上设有沿晶圆研磨设备高度方向延伸的插槽，所述挡片的所述一端固定设有插片，所述插片插设于所述插槽中。

可选的，所述研磨机构包括研磨平台，沿晶圆研磨设备的高度方向，所述研磨平台的台面低于所述缝隙或与所述缝隙平齐。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：