[实用新型]晶圆研磨设备有效

专利信息
申请号: 201721847834.1 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN209615154U 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 岳志刚;林宗贤;吴龙江;辛君 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00;B24B37/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高磊;吴敏
地址: 223302 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 挡片 侧壁 研磨设备 外壳体 缝隙位置 研磨机构 清洗液 研磨液 晶圆 阻挡 缝隙延伸 一端设置 研磨 飞溅 种晶 遮挡 投影 垂直 环绕 流出 体内 污染
【权利要求书】:

1.一种晶圆研磨设备,包括:

外壳体和设置于所述外壳体内、适于对晶圆进行研磨的研磨机构;

所述外壳体包括环绕研磨机构的多个侧壁,其中至少一个所述侧壁上设有门,所述门的边沿与所述侧壁之间形成缝隙,其特征在于,

所述外壳体还包括挡片,所述挡片的一端设置于所述门或具有所述门的所述侧壁,所述挡片位于所述侧壁和门的内侧,且朝向所述缝隙延伸,使至少一部分所述缝隙落入所述挡片在垂直于所述缝隙的水平方向上的投影内。

2.如权利要求1所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述门具有位于底部的下边沿,所述侧壁具有与所述下边沿相对设置的上边沿,所述下边沿、上边沿之间的空间形成所述缝隙。

3.如权利要求2所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述挡片的所述一端设置于所述上边沿或所述下边沿。

4.如权利要求2所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述挡片的所述一端设置于所述门的内表面;或,所述一端设置于所述侧壁的内表面。

5.如权利要求2所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述挡片的所述一端设置于所述上边沿,所述挡片向上延伸的高度距离控制在15cm-25cm之间。

6.如权利要求4所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述挡片的所述一端设置于所述侧壁的内表面,且位于所述门的下方,所述挡片向上延伸至使所述挡片的另一端与所述缝隙之间的高度距离控制在15cm-25cm之间。

7.如权利要求1-6任一项所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述挡片与所述门之间的夹角控制在0°-30°之间;和/或,所述挡片与所述侧壁之间的夹角控制在0°-30°之间。

8.如权利要求1-4任一项所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述挡片可拆卸的设置于所述侧壁或可拆卸的设置于所述门;或,所述挡片一体成型于所述侧壁或一体成型于所述门。

9.如权利要求8所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述侧壁的内表面上设有凸起,所述凸起上设有沿晶圆研磨设备高度方向延伸的插槽,所述挡片的所述一端固定设有插片,所述插片插设于所述插槽中。

10.如权利要求1-6任一项所述的晶圆研磨设备,其特征在于,所述研磨机构包括研磨平台,沿晶圆研磨设备的高度方向,所述研磨平台的台面低于所述缝隙或与所述缝隙平齐。

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