[实用新型]一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片

说明书

本实用新型属于太阳能发电技术领域，尤其涉及一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片。这种五主栅密栅浅结多晶硅电池片包括正面电极、正面减反射膜、N型半导体、PN结、P型半导体、背面电极和反光层，其特征在于：所述正面电极上设有五条相互平行的主栅线和若干条细栅线，所述主栅线均为螺旋形，所述细栅线均由五个纺锥形结构首尾连接而成，所述纺锥形结构的中间最宽部分与所述主栅线连接，且所述细栅线的中心轴均与所述主栅线垂直；所述细栅线之间的密度从正面电极的两侧向中间递增。该电池片结构简单，成本低廉，且具有优异的电池转化效率。

技术领域

本实用新型属于太阳能发电技术领域，尤其涉及一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片。

背景技术

在现阶段能源问题日益严峻，传统能源储量下降和带来的环境问题越来越制约经济的发展，从而导致新能源产业迅猛发展。在这样的大背景下光伏产业作为新能源产业的中坚力量，快速在我国遍地开花。但是，长期以来光伏产业的尖端技术和工艺大部分被国外企业所垄断，况且光伏行业又面临越来越激烈的竞争，这就要求我们国内企业必须搞自主研发，提升国内光伏企业的竞争力。

在各种太阳能电池中，硅太阳能电池因其可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点成为太阳能电池的主要品种。太阳电池产业化所面临的主要问题之一是如何在保证电池高转换效率前提下降低生产成本。五主栅密栅浅结多晶硅电池片既能增大电池有效受光面积且不至于显著增大电阻损失影响填充因子，又能降低单片电池银浆耗量，从而使得转换效率提升和生产成本降低，提升企业的市场竞争力。通过多主栅多晶太阳能电池的实施，可推进我国光伏技术的发展和进步，提高光电转换效率，降低太阳电池的生产成本，解决因日益严重的能源匮乏而制约我国经济发展的矛盾。

申请号为201320448956.9的一种五主栅太阳能晶硅电池，包括主栅、细栅、减反膜、P型硅片、铝背场和背电极，其特征在于：以所述的P型硅片为衬底，正面涂覆减反膜，反面覆盖铝背场；减反膜上表面有五根平行的主栅，每根主栅总长度为154.5mm，其上均布八段长度8mm、宽度1mm的小段，其余部位宽度0.3mm的小段；细栅是垂直于主栅的实心线，长度为154.5mm，宽度为35μm，共有细栅90根；铝背场上采用五根背电极，五根背电极的中心线分别与五根主栅中心线重合，每根背电极均分为四小段，每一段长度为12mm,宽度为1.8mm；所述背电极的长度方向两侧共垂直分布有触须20根，背电极的宽度方向两侧共垂直分布有触须4根，单个触须长度为1mm,宽度为0.5mm。该实用新型结构复杂，电池转化效率低。

发明内容

本实用新型要解决上述问题，提供一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片,该电池片结构简单，成本低廉，且具有良好的转化效率。

本实用新型解决问题采用的技术方案是，提出一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片，包括正面电极、正面减反射膜、N型半导体、PN结、P型半导体、背面电极和反光层，其特征在于：所述正面电极上设有五条相互平行的主栅线和若干条细栅线，所述主栅线均为螺旋形，所述细栅线均由五个纺锥形结构首尾连接而成，所述纺锥形结构的中间最宽部分与所述主栅线连接，且所述细栅线的中心轴均与所述主栅线垂直；所述细栅线之间的密度从正面电极的两侧向中间递增。

优选地，所述主栅线螺旋部分的最大宽度为0.5-0.8mm，相邻两根主栅线之间间距为22-28mm。

优选地，所述细栅线的数量为100-150根。

优选地，所述细栅线的纺锥形结构的中部最宽部分宽50-60μm。

优选地，所述PN结结深0.15-0.3μm。

本实用新型的有益效果

1. 主栅线为螺旋形，能增加受光面积，减少银浆用量。

2. 细栅线由五根中间宽两边细的纺锥形结构首尾连接而成，且中间最宽部分与主栅线连接，由于主栅线附近电子数多，使得汇集电流效果好。