[实用新型]一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片

权利要求书

1.一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片，包括正面电极（10）、正面减反射膜（20）、N型半导体（30）、PN结（40）、P型半导体（50）、背面电极（60）和反光层（70），其特征在于：所述正面电极（10）上设有五条相互平行的主栅线（11）和若干条细栅线（12），所述主栅线（11）均为螺旋形，所述细栅线（12）均由五个纺锥形结构（13）首尾连接而成，所述纺锥形结构（13）的中间最宽部分与所述主栅线（11）连接，且所述细栅线（12）的中心轴均与所述主栅线（11）垂直；所述细栅线（12）之间的密度从正面电极（10）的两侧向中间递增。

2.根据权利要求1所述的一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片，其特征在于：所述主栅线（11）螺旋部分的最大宽度为0.5-0.8mm，相邻两根主栅线（11）之间间距为22-28mm。

3.根据权利要求1所述的一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片，其特征在于：所述细栅线（12）的数量为100-150根。

4.根据权利要求1所述的一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片，其特征在于：所述细栅线（12）的纺锥形结构（13）的中部最宽部分宽50-60μm。

5.根据权利要求1所述的一种五主栅密栅浅结多晶硅电池片，其特征在于：所述PN结（40）结深0.15-0.3μm。