[实用新型]一种多通道集成滤光片的光隔离结构有效
申请号: | 201721838903.2 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN207636809U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 周东平 | 申请(专利权)人: | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区娄*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成滤光片 多通道 黑铬 金属膜层 消光层 二氧化硅膜层 本实用新型 光隔离结构 氧化铬膜层 基片表面 光学透过性能 金属膜层表面 真空镀膜工艺 工作性能 光线通过 光学薄膜 空白区域 有效实现 反射光 氧化物 隔离 | ||
1.一种多通道集成滤光片的光隔离结构,其特征在于,包括设置在基片表面上的黑铬金属膜层,以阻止光线通过,所述黑铬金属膜层分布于多通道集成滤光片通道间的空白区域;
还包括消光层,所述消光层由第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层组成,所述第一氧化铬膜层设置在所述黑铬金属膜层上,所述第一二氧化硅膜层设置在所述第一氧化铬膜层上,所述第二氧化铬膜层设置在所述第一二氧化硅膜层上,所述第二二氧化硅膜层设置在所述第二氧化铬膜层上。
2.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构,其特征在于,所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米,所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。
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