[实用新型]具有超疏水表面结构的硅光伏电池有效
申请号: | 201721770021.7 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN207637810U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 刘鹤峰;王作斌;杨焕洲;翁占坤;宋正勋 | 申请(专利权)人: | 长理纳米生物技术(长春)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;B81B7/00 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
地址: | 130000 吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅光 超疏水表面 电池 胶粘剂层 硅片 铝合金框 粘接固定 接线盒 上表面 锥柱体 激光干涉光刻系统 本实用新型 表面镀膜 封装玻璃 光伏电池 排列周期 周期排列 疏水性 微米级 下表面 有效地 刻蚀 疏水 制备 工作量 保养 裸露 应用 制造 | ||
具有超疏水表面结构的硅光伏电池,涉及光伏电池领域,解决现有硅光伏电池疏水工艺主要集中在表面镀膜和封装玻璃,存在增加了制造和保养的工作量以及成本等问题,包括硅片、胶粘剂层、TPT背板、铝合金框和接线盒;胶粘剂层的上表面粘接固定硅片,胶粘剂层的下表面粘接固定TPT背板;TPT背板和接线盒固定安装在铝合金框内,硅片上表面为超疏水表面,超疏水表面由激光干涉光刻系统刻蚀获得的微米级周期排列的锥柱体,所述锥柱体的排列周期为3μm~20μm。本实用新型的硅光伏电池可以长期裸露在空气中并保持良好的疏水性,制备工序简单,快速,应用于硅光伏电池可以有效地降低成本。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池领域,具体涉及一种具有超疏水表面结构的硅光伏电池。
背景技术
太阳能是可再生能源,而且清洁无污染,是世界公认的绿色能源。光伏电池是一种利用半导体材料的光伏效应,将光能转化为电能的器件。目前大量使用的是以硅为基底的硅光伏电池。光伏电池的优点主要有:使用寿命长;绿色无污染;应用领域广;规格大小可以根据需要设计;最重要的是,理论上凡是有阳光的地方都可以放置光伏电池。
由于硅光伏电池长期暴露于空气中,硅表面在雨雪天会有液滴附着,液滴会对硅表面接收到的光强造成影响,且液滴中可能会融入腐蚀硅的化学物质,所以对硅光伏电池进行疏水处理是十分必要的。目前的疏水工艺主要集中在表面镀膜和封装玻璃,这两种方法都不是对硅本身进行处理,增加了制造和保养的工作量以及成本。
实用新型内容
本实用新型为解决现有硅光伏电池疏水工艺主要集中在表面镀膜和封装玻璃,存在增加了制造和保养的工作量以及成本等问题,提供一种具有超疏水表面结构的硅光伏电池。
具有超疏水表面结构的硅光伏电池,包括硅片、胶粘剂层、TPT背板、铝合金框和接线盒;所述胶粘剂层的上表面粘接固定硅片,胶粘剂层的下表面粘接固定TPT背板;所述TPT背板和接线盒固定安装在铝合金框内,所述硅片上表面为超疏水表面,所述超疏水表面由激光干涉光刻系统刻蚀获得的微米级周期排列的锥柱体,所述锥柱体的排列周期为3μm~20μm。
进一步的,所述锥柱体的直径0.3~0.6μm,高度1~2μm。
进一步的,所述胶粘剂层为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层,厚度为0.5~1mm。
进一步的,所述TPT背板厚度为0.3~0.4mm。
进一步的,所述激光干涉光刻系统为四光束激光干涉光刻系统,包括激光器和透镜组,激光器发出的光束经透镜组中的反射镜和多个半反半透镜后对待刻蚀硅片进行光刻,获得刻蚀后的硅片。
本实用新型的有益效果:本实用新型所述的硅光伏电池,硅片表面为由激光干涉光刻系统刻蚀得到的微米级周期性结构,而且该结构的周期和高度可以通过改变系统参数和调整操作时间来自由设计,可以满足不同需求,疏水角可以达到150°以上。激光干涉光刻系统刻蚀得到的微结构稳定性好,不易磨损,可以长期保持良好的疏水特性,而且制备工序简单,快速,应用于硅光伏电池可以有效地降低成本。
附图说明
图1为本实用新型所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池的结构图;
图2为四光束激光干涉光刻系统结构图;
图3为本实用新型所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池中硅片的超疏水表面结构横截面示意图。
图中:1、硅片,2、胶粘剂层,3、TPT背板,4、铝合金框,5、接线盒,6、激光器,7、透镜组,8、待刻蚀硅片。
具体实施方式
具体实施方式一、结合图1和图2说明本实施方式,具有超疏水表面结构的硅光伏电池,包括硅片1、胶粘剂层2、TPT背板3、铝合金框4和接线盒5;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的