[实用新型]具有超疏水表面结构的硅光伏电池有效
| 申请号： | 201721770021.7 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN207637810U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘鹤峰;王作斌;杨焕洲;翁占坤;宋正勋 | 申请（专利权）人： | 长理纳米生物技术（长春）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;B81B7/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130000 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅光 超疏水表面 电池 胶粘剂层 硅片 铝合金框 粘接固定 接线盒 上表面 锥柱体 激光干涉光刻系统 本实用新型 表面镀膜 封装玻璃 光伏电池 排列周期 周期排列 疏水性 微米级 下表面 有效地 刻蚀 疏水 制备 工作量 保养 裸露 应用 制造 | ||
【权利要求书】：
1.具有超疏水表面结构的硅光伏电池，包括硅片(1)、胶粘剂层(2)、TPT背板(3)、铝合金框(4)和接线盒(5)，其特征是；
所述胶粘剂层(2)的上表面粘接固定硅片(1)，胶粘剂层(2)的下表面粘接固定TPT背板(3)；所述TPT背板(3)和接线盒(5)固定安装在铝合金框(4)内，所述硅片(1)上表面为超疏水表面，所述超疏水表面由激光干涉光刻系统刻蚀获得的微米级周期排列的锥柱体，所述锥柱体的排列周期为3μm～20μm。
2.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述锥柱体的直径0.3～0.6μm，高度1～2μm。
3.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述胶粘剂层(2)为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层，厚度为0.5～1mm。
4.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述TPT背板(3)厚度为0.3～0.4mm。
5.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述激光干涉光刻系统为四光束激光干涉光刻系统，包括激光器(6)和透镜组(7)，激光器(6)发出的光束经透镜组中的反射镜和多个半反半透镜后对待刻蚀硅片(8)进行光刻，获得刻蚀后的硅片(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
