[实用新型]抛光垫及其抛光装置

说明书

本实用新型提供了一种抛光垫及其抛光装置，涉及半导体技术领域，为解决抛光布随着使用时间的延长，其运输抛光液的能力会大大降低，可能对抛光效果产生不良影响的问题而设计。涉及一种抛光垫，包括：抛光布本体，抛光布本体上设有至少一个凹槽，至少一个凹槽内设有用于限制抛光液流动的填充物。还涉及一种抛光装置，包括：抛光机大盘和上述的抛光垫，抛光垫固定在抛光机大盘上。该抛光垫及其抛光装置的使用寿命较长且实用性较强。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种抛光垫及其抛光装置。

背景技术

化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，在集成电路制造过程的各阶段表面平整化工艺和大尺寸裸晶圆的表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片基板去除材料的过程。

在这个过程中，抛光模板，压力盘，压力磨头，大盘等装置构成了抛光的主要场所，其中抛布贴在大盘上，抛光模板把晶圆压在抛布上面，随着抛头和大盘的旋转，晶圆表面在被抛光液作用后能够被抛布上的绒毛去除，最终实现抛光。

现有抛光技术中，在抛光布的表面设有很多沟槽，该沟槽的作用是使抛光液能够均匀的流到抛光布的表面，使抛光效果均匀。但是在实际抛光过程中，该沟槽会随着使用时间的延长逐渐变浅甚至被磨平，大大削弱了其运输抛光液的能力；然而，如果一开始就把沟槽开的太深的话，则会使抛光效果不容易控制。

实用新型内容

本实用新型的第一目的在于提供一种抛光垫，以解决现有技术中存在的抛光布随着使用时间的延长，其运输抛光液的能力会大大降低，可能对抛光效果产生不良影响的技术问题。

本实用新型提供的抛光垫，包括:抛光布本体，所述抛光布本体上设有至少一个凹槽，至少一个所述凹槽内设有用于限制抛光液流动的填充物。

进一步地，所述凹槽为多个，各所述凹槽内均设有填充物，且所述填充物的高度小于所述凹槽的深度。

进一步地，所述凹槽为多个，至少一个所述凹槽内设有填充物，且所述填充物的高度不大于所述凹槽的深度。

进一步地，所述填充物的材质采用无机材料；或者是，所述填充物的材质采用微溶于碱液或者酸液的有机材料。

进一步地，所述凹槽为多个，多个所述凹槽相互连通。

进一步地，所述凹槽的横截面形状采用矩形、倒梯形、半圆形、倒三角形中的任一种。

进一步地，所述抛光布本体由上至下依次设有抛光层、防水层和胶粘层。

各所述凹槽设置在所述抛光层上。

进一步地，所述抛光层的材质采用聚氨酯、绒布、聚酯纤维中的任一种。

所述防水层的材质采用环氧树脂、聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯中的任一种。

所述胶粘层的材质采用压敏胶、热敏胶、UV胶中的任一种。

进一步地，所述抛光层的厚度范围为100um～10mm。

所述防水层的厚度范围为10um～1mm。

所述胶粘层的厚度范围为10um～10mm。

本实用新型提供的抛光垫的有益效果：