[实用新型]一种垂直结构的发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层，直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽，第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度，第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔；设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层；贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层，直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光技术领域，更具体地说，尤其涉及一种垂直结构的发光二极管。

背景技术

随着科学技术的不断发展，发光二极管已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，为一种重要的固态照明装置。

但是，现有技术中发光二极管的实现大功率照明要求的难度高，出光效率低，无法满足市场需求。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种垂直结构的发光二极管，结构简单，极易实现大功率照明要求，出光效率高。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种垂直结构的发光二极管，所述发光二极管包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层以及透明导电薄膜层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

贯穿所述透明导电薄膜层、所述p型GaN层、所述电子屏蔽层、所述多量子阱结构层以及所述n型GaN层，直至暴露出所述未掺杂GaN层的多个第一凹槽，其中，所述第一凹槽的第一表面与所述衬底之间成预设角度，所述第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；

沿着所述第一表面贯穿所述未掺杂GaN层、所述第二缓冲层、所述第一缓冲层以及所述衬底的多个通孔，所述通孔与所述衬底之间成所述预设角度；

依次设置在所述第一表面以及所述通孔上的反光层、绝缘层以及第一金属导电层；

贯穿所述衬底、所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述未掺杂GaN层，直至暴露出所述n型GaN层的多个第二凹槽，其中，所述第二凹槽为正梯形结构。

优选的，在上述发光二极管中，所述发光二极管还包括：

设置在所述衬底背离所述外延层一侧的基底，所述基底上设置有多个凸起，且所述凸起与所述第二凹槽相匹配。

优选的，在上述发光二极管中，所述发光二极管还包括：

设置在所述基底与所述衬底之间的第二金属导电层，且位于所述第二凹槽与所述通孔之间的第二金属导电层上设置有镂空区域。

优选的，在上述发光二极管中，所述发光二极管还包括：

设置在所述基底上的N电极银浆导电沟槽以及P电极银浆导电凹槽，其中，所述N电极银浆导电凹槽的一端与位于所述第二凹槽背离所述通孔的第二金属导电层连接，所述N电极银浆导电凹槽的另一端与N电极连接，所述P电极银浆导电凹槽的一端与位于所述镂空区域背离所述第二凹槽的第二金属导电层连接，所述P电极银浆导电凹槽的另一端与P电极连接。

优选的，在上述发光二极管中，所述衬底为纳米多孔硅衬底。