[实用新型]一种垂直结构的发光二极管

权利要求书

1.一种垂直结构的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层以及透明导电薄膜层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

贯穿所述透明导电薄膜层、所述p型GaN层、所述电子屏蔽层、所述多量子阱结构层以及所述n型GaN层，直至暴露出所述未掺杂GaN层的多个第一凹槽，其中，所述第一凹槽的第一表面与所述衬底之间成预设角度，所述第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；

沿着所述第一表面贯穿所述未掺杂GaN层、所述第二缓冲层、所述第一缓冲层以及所述衬底的多个通孔，所述通孔与所述衬底之间成所述预设角度；

依次设置在所述第一表面以及所述通孔上的反光层、绝缘层以及第一金属导电层；

贯穿所述衬底、所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述未掺杂GaN层，直至暴露出所述n型GaN层的多个第二凹槽，其中，所述第二凹槽为正梯形结构。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

设置在所述衬底背离所述外延层一侧的基底，所述基底上设置有多个凸起，且所述凸起与所述第二凹槽相匹配。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

设置在所述基底与所述衬底之间的第二金属导电层，且位于所述第二凹槽与所述通孔之间的第二金属导电层上设置有镂空区域。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

设置在所述基底上的N电极银浆导电沟槽以及P电极银浆导电凹槽，其中，所述N电极银浆导电凹槽的一端与位于所述第二凹槽背离所述通孔的第二金属导电层连接，所述N电极银浆导电凹槽的另一端与N电极连接，所述P电极银浆导电凹槽的一端与位于所述镂空区域背离所述第二凹槽的第二金属导电层连接，所述P电极银浆导电凹槽的另一端与P电极连接。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底为纳米多孔硅衬底。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多量子阱结构层为InxGa1-xN多量子阱结构层或GaN多量子阱结构层，其中，0.5≤x≤0.55。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述预设角度的范围为40°-50°，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一缓冲层为AlN缓冲层。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二缓冲层为AlGaN缓冲层。