[实用新型]一种半导体反应腔体及半导体反应装置有效
申请号: | 201721697622.X | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN207781544U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 刘希飞;阚保国;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 反应腔体 框体 晶圆 传送 传输腔室 腔体本体 密封圈 本实用新型 反应装置 反应副产物 密封圈密封 蘑菇头形状 产品良率 间隙封闭 使用性能 外侧边缘 屏蔽门 嵌入框 入口端 内圈 覆盖 嵌入 侧面 概率 污染 | ||
本实用新型提供一种半导体反应腔体及半导体反应装置,包括:传输腔室;设置于传输腔室侧面的半导体反应腔体,半导体反应腔体包括腔体本体,设置于腔体本体上的晶圆传送窗口,晶圆传送窗口的外侧边缘设置有框体,框体的内圈与晶圆传送窗口通过第一密封圈密封;其中,第一密封圈包括嵌入框体与腔体本体之间的嵌入部分,以及覆盖于框体及晶圆传送窗口的入口端面的覆盖部分;设置于半导体反应腔体的框体与传输腔室之间的屏蔽门。本实用新型在晶圆传送窗口与框体之间设置一蘑菇头形状的密封圈,以此将框体与半导体反应腔体本体之间的间隙封闭,避免反应副产物囤积在框体与半导体反应腔体本体之间,进而减少晶圆被污染的概率,提高产品良率及使用性能。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,特别是涉及一种半导体反应腔体及半导体反应装置。
背景技术
随着半导体制造行业的不断发展,半导体制造设备也在不断的改进中。现有技术中对可刻蚀腔体进行了适配门框的设计,适配门框的方便之处在于使得LAM装置用同一个传输模块(Transfer module)可以适配刻蚀不同形状的主刻蚀腔体。如图1所示,主刻蚀腔体1具有腔体本体11,设置于所述腔体本体11上的晶圆传送窗口12,以及设置于所述晶圆传送窗口12外围的适配门框13。进一步地,如图2所示,所述适配门框13的外围与所述腔体本体11通过密封圈14密封,因此,所述适配门框13与所述腔体本体11之间未设置密封圈的部分存在间隙。当所述主刻蚀腔体1中进行反应时,反应副产物容易进入到该间隙中,而该间隙不容易被清理,反应副产物将囤积在其中。当反应副产物累积到一定量时容易掉落下来,如果此时真空手臂将晶圆从所述晶圆传送窗口送入或取出所述主刻蚀腔体1,则反应副产物将直接掉落在晶圆表面,造成晶圆失效,引起不必要的损失。
因此,如何解决适配门框与主刻蚀腔体之间间隙中的反应副产物的堆积对晶圆造成的污染已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种半导体反应腔体及半导体反应装置,用于解决现有技术中适配门框与主刻蚀腔体之间间隙中的反应副产物的堆积对晶圆造成污染的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种半导体反应腔体,所述半导体反应腔体至少包括:
腔体本体,设置于所述腔体本体上的晶圆传送窗口,所述晶圆传送窗口的外侧边缘设置有框体,所述框体的内圈与所述晶圆传送窗口通过第一密封圈密封;其中,所述第一密封圈包括嵌入所述框体与所述腔体本体之间的嵌入部分,以及覆盖于所述框体及所述晶圆传送窗口的入口端面的覆盖部分。
优选地,所述框体的外圈与所述腔体本体通过第二密封圈密封。
优选地,所述第一密封圈的材质包括聚全氟橡胶、乙丙橡胶、丁腈橡胶、丁苯橡胶、丁基橡胶、天然橡胶、乙烯橡胶、乙丙酸橡胶、聚丙烯酸酯橡胶、氢化丁腈橡胶、硅橡胶、氟素橡胶、氟硅橡胶或金属橡胶。
优选地,所述第二密封圈的材质包括聚全氟橡胶、乙丙橡胶、丁腈橡胶、丁苯橡胶、丁基橡胶、天然橡胶、乙烯橡胶、乙丙酸橡胶、聚丙烯酸酯橡胶、氢化丁腈橡胶、硅橡胶、氟素橡胶、氟硅橡胶或金属橡胶。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种半导体反应装置,所述半导体反应装置至少包括:
传输腔室,包括多个侧面,各侧面设置有晶圆传送窗口;
上述半导体反应腔体,设置于所述传输腔室侧面,所述传输腔室的晶圆传送窗口与所述半导体反应腔体的晶圆传送窗口对应设置;
屏蔽门,设置于所述半导体反应腔体的框体与所述传输腔室之间,以隔断所述传输腔室与所述半导体反应腔体的腔室。
优选地,所述屏蔽门的外圈与所述半导体反应腔体的框体外圈通过第三密封圈密封。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造