[实用新型]一种基于MEMS的扫描式半导体激光器有效
申请号: | 201721687293.0 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN207625073U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 张正正;屈志巍 | 申请(专利权)人: | 北京万集科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06;G02B26/08 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;李相雨 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光光束 半导体激光器芯片 准直透镜 封装 半导体激光器 本实用新型 扫描式 基底 减小 反射 发射激光光束 扫描激光光束 激光传感器 二维空间 方向偏转 激光光源 激光扫描 驱动信号 往复振动 整形 出射 准直 驱动 | ||
1.一种基于MEMS的扫描式半导体激光器,其特征在于,包括:封装基底、半导体激光器芯片、准直透镜和MEMS振镜;
所述封装基底用于将所述半导体激光器芯片、所述准直透镜和所述MEMS振镜封装在一起,并固定三者之间的相对位置;
所述半导体激光器芯片用于发射激光光束;
所述准直透镜用于将所述激光光束进行准直;
所述MEMS振镜用于对所述激光光束进行反射使得所述激光光束的出射方向偏转;
其中,所述MEMS振镜在驱动信号的驱动下在二维空间内往复振动,使得由所述MEMS振镜反射的激光光束变为扫描激光光束。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述准直透镜位于所述半导体激光器芯片和所述MEMS振镜之间,所述半导体激光器芯片发射的激光光束经过所述准直透镜准直后,由所述MEMS振镜将准直后的激光光束进行偏转。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述MEMS振镜位于所述半导体激光器芯片和所述准直透镜之间,所述半导体激光器芯片发射的激光光束经过所述MEMS振镜进行方向偏转后,由所述准直透镜进行准直。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述MEMS振镜在驱动信号的驱动下围绕第一维振动转轴在第一维振动平面振动以及围绕第二维振动转轴在第二维振动平面内振动;其中,所述第一维振动转轴与所述半导体激光器芯片的发光节在同一平面,所述第二维振动转轴与所述半导体激光器芯片的发光节垂直。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器芯片与所述准直透镜的光轴重合,所述准直透镜的光轴位于所述MEMS振镜的镜面中心,所述MEMS振镜初始位置的镜面法线与所述准直透镜的光轴呈45度夹角。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述封装基底包括:半导体激光器芯片底座、MEMS振镜芯片底座、准直透镜底座和封装底片;
所述半导体激光器芯片底座用于封装所述半导体激光器芯片并固定其位置;
所述MEMS振镜芯片底座用于封装所述MEMS振镜并固定其位置;
所述准直透镜底座用于固定所述准直透镜;
所述封装底片用于支撑并固定所述半导体激光器芯片底座、MEMS振镜芯片底座和准直透镜底座。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器芯片底座的前端设置有缺口,以防止从半导体激光器芯片出射的发散光束被遮挡。
8.根据权利要求6所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器芯片底座的上表面镀有一层金作为电极,并且由一条细槽口将所述半导体激光器芯片底座分成左侧和右侧两部分,左侧为正极,右侧为负极;
相应地,所述半导体激光器芯片的下侧为正极,直接贴在所述半导体激光器芯片底座的左侧,以保证出射光束的光轴与所述准直透镜的光轴重合,所述半导体激光器芯片的负极通过打金线的方式与所述半导体激光器芯片底座的负极相连。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,还包括:外部控制器,所述外部控制器用于输出控制所述MEMS振镜振动的驱动信号。
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