[实用新型]一种籽晶铸锭装料结构有效
申请号: | 201721685211.9 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN207727192U | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 胡石山;毛亮亮;唐碧见;周飞龙;龙昭钦;周慧敏;徐志群 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | C30B28/08 | 分类号: | C30B28/08;C30B29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 定位层 装料 容纳腔 晶块 尾料 铸锭 本实用新型 籽晶层 小料 种籽 籽晶 熔化 竖直放置 同一水平 有效控制 预留空间 中心处 管控 硅料 晶硅 块料 预留 | ||
本实用新型提供了一种籽晶铸锭装料结构,包括容纳腔;籽晶层,设置在所述容纳腔底部;晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;所述定位层为竖直放置的晶硅块料;硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上。本实用新型提供的籽晶铸锭装料结构,能够避免硅料之间产生间隙,并能够对熔化阶段的速率进行精确管控,并有效控制籽晶预留高度。
技术领域
本实用新型属于多晶硅熔化技术领域,特别是涉及一种籽晶铸锭装料结构。
背景技术
目前籽晶铸锭领域多采取籽晶半熔铸锭,此铸锭工艺的熔化过程需要不断的通过石英棒试探未熔化部分高度,以此来保证底部留有一定的籽晶高度并将整个熔化过程控制在合理的时间范围内。
由于每个熔化炉的装料结构都存在差异,现有的铺设方法无法精确控制每个熔化炉内炉台的熔化速率,而且装料结构中常常产生缝隙,导致在测熔化速率时石英棒的高度会有较大的偏差。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供了一种籽晶铸锭装料结构,能够避免硅料之间产生间隙,并能够对熔化阶段的速率进行精确管控,并有效控制籽晶预留高度。
为了达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种籽晶铸锭装料结构,包括
容纳腔;
籽晶层,设置在所述容纳腔底部;
晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;
定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;
所述定位层为竖直放置的晶硅块料;
硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上。
优选的,还包括原生硅料层,所述原生硅料层设置在所述硅料层上方。
优选的,还包括硅颗粒层,所述硅颗粒层设置在所述原生硅料层上。
优选的,所述晶硅块料设置为长方体形状或圆柱体形状。
通过上述描述可知,本实用新型提供的一种籽晶铸锭装料结构,包括容纳腔;籽晶层,设置在所述容纳腔底部;晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;所述定位层为竖直放置的晶硅块料;硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上;因此能够对熔化阶段的速率进行精确管控,使得每个炉台间熔化速率保持一致性,以便于进行数据的统计分析,找到最优的熔化速率范围从而有效控制籽晶预留高度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种籽晶铸锭装料结构的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种籽晶铸锭装料结构的结构示意图。
附图标记:1-容纳腔,2-籽晶层,3-晶块尾料层,4-定位层,5-硅小料层,6-原生硅料层,7-硅颗粒层。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司,未经晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721685211.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可持续生产的晶体生长装置
- 下一篇:一种高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置