[实用新型]一种高电流离子注入机末端测流器有效
申请号: | 201721682661.2 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN207489825U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 邓跃;严骏;石庆球 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/265;H01J37/32 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流器 高电流离子注入机 本实用新型 隔离部 同电位 石墨 机台 绝缘子安装 离子注入机 末端连接 接地 侧面部 顶面部 接地部 连接腔 正面部 短路 断路 盖子 遮挡 侧面 保证 | ||
本实用新型提供了一种高电流离子注入机末端测流器,包括测流器本体,所述测流器本体包括接地部、离子注入机末端连接腔和连接腔侧面的隔离部;所述隔离部包括顶面部、正面部和侧面部。本实用新型的高电流离子注入机末端测流器,在测流器周围同电位的部分外面增加石墨盖子遮挡,石墨使用绝缘子安装与测流器周围同电位部分形成断路,与机台接地形成短路,保证电子不会影响到测流器回路上。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体设备,尤其涉及一种高电流离子注入机末端测流器。
背景技术
现有的测流器受到电子干扰而容易导致束流不稳的现象,导致需要经人工进行调整束流,因束流不稳现象重新检查和调整束流会花费大量的时间,机台生产效率因此而降低。现有的测流器的理论原理中,如图1所示,高电流离子注入机末端测流器工作原理为通过电路于地连接,当离子束作用于法拉第(faraday)上时,地给予电子补偿形成电流回路,以此测量离子束流大小。但现实的情况如图2和图3所示,腔内的电子会触碰到测流器周围同电位的部分,使电子数减少,使测量得到的离子束流大小有偏差。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷,提供一种减少电子干扰的高电流离子注入机末端测流器。
本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案:
一种高电流离子注入机末端测流器,包括测流器本体,所述测流器本体包括接地部、离子注入机末端连接腔和连接腔侧面的隔离部;所述隔离部包括顶面部、正面部和侧面部。
为了进一步优化上述技术方案,本实用新型所采取的技术措施为:
优选的,所述隔离部还包括导电部件和绝缘部件。
更优选的,所述绝缘部件安装于所述导电部件的内层。
更优选的,所述绝缘部件包括绝缘部件一、绝缘部件二、绝缘部件三。
更优选的,所述绝缘部件一安装于所述顶面部,所述绝缘部件二安装于所述正面部;所述绝缘部件三安装于所述侧面部。
更优选的,所述导电部包括导电部件一、导电部件二、导电部件三、导电部件四和导电部件五。
更优选的,所述正面部包括连接的斜板部和竖直部。
更优选的,所述导电部件一设置于所述绝缘部件一表面并覆盖整个绝缘部件一;导电部件二设置于所述斜板部表面;所述导电部件三设置于所述竖直部表面;所述侧面部包括横向凸起部一和横向凸起部二;所述导电部件四设置于所述横向凸起部一表面,所述导电部件五设置于所述横向凸起部二表面。
更优选的,所述绝缘部件为绝缘子。
更优选的,所述导电部件为石墨。
本实用新型采用以上技术方案,与现有技术相比,具有如下技术效果:
本实用新型的高电流离子注入机末端测流器,在测流器周围同电位的部分外面增加石墨盖子遮挡,石墨使用绝缘子安装与测流器周围同电位部分形成断路,与机台接地形成短路,保证电子不会影响到测流器回路上。
附图说明
图1为现有的测流器的结构示意图;
图2为现有的测流器的结构示意图;
图3为图2的局部放大图;
图4为本实用新型的一种优选实施例的测流器的结构示意图;
图5为本实用新型的一种优选实施例的测流器的结构示意图;
其中的附图标记为:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造