[实用新型]一种高电流离子注入机末端测流器有效
| 申请号： | 201721682661.2 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN207489825U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邓跃;严骏;石庆球 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/265;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流器 高电流离子注入机 本实用新型 隔离部 同电位 石墨 机台 绝缘子安装 离子注入机 末端连接 接地 侧面部 顶面部 接地部 连接腔 正面部 短路 断路 盖子 遮挡 侧面 保证 | ||
1.一种高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：包括测流器本体(1)，所述测流器本体(1)包括接地部(11)、离子注入机末端的连接腔(12)和连接腔(12)侧面的隔离部(13)；所述隔离部(13)还包括顶面部(14)、正面部(15)和侧面部(16)。
2.根据权利要求1所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述隔离部(13)还包括导电部件(17)和绝缘部件(18)。
3.根据权利要求2所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述绝缘部件(18)安装于所述导电部件(17)的内层。
4.根据权利要求3所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述绝缘部件(18)包括绝缘部件一(181)、绝缘部件二(182)、绝缘部件三(183)。
5.根据权利要求4所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述绝缘部件一(181)安装于所述顶面部(14)，所述绝缘部件二(182)安装于所述正面部(15)；所述绝缘部件三(183)安装于所述侧面部(16)。
6.根据权利要求5所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述导电部件包括导电部件一(171)、导电部件二(172)、导电部件三(173)、导电部件四(174)和导电部件五(175)。
7.根据权利要求6所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述正面部(15)包括连接的斜板部(151)和竖直部(152)。
8.根据权利要求7所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述导电部件一(171)设置于所述绝缘部件一(181)表面并覆盖整个绝缘部件一(181)；导电部件二(172)设置于所述斜板部(151)表面；所述导电部件三(173)设置于所述竖直部(152)表面；所述侧面部(16)包括横向凸起部一(161)和横向凸起部二(162)；所述导电部件四(174)设置于所述横向凸起部一(161)表面，所述导电部件五(175)设置于所述横向凸起部二(162)表面。
9.根据权利要求8所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述绝缘部件(18)为绝缘子。
10.根据权利要求9所述的高电流离子注入机末端测流器，其特征在于：所述导电部件(17)为石墨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
