[实用新型]一种溅射工艺设备

说明书

本实用新型提供一种溅射工艺设备，包括：静电吸盘、沉积环以及防护圈；沉积环包围静电吸盘侧边的至少一部分，且与静电吸盘侧边之间具有间隙，沉积环靠近静电吸盘侧边的一侧上表面低于静电吸盘上表面；沉积环上表面还具有凸起部，凸起部的最高点高于静电吸盘上表面；防护圈设置于静电吸盘与沉积环之间，并包围沉积环靠近静电吸盘侧边的一侧上表面边缘及侧面上边缘；从而，无需对所述静电吸盘进行打磨，一方面，不会对所述静电吸盘造成污染以及降低其静电吸附能力，提高产品质量；另一方面，降低所述静电吸盘报废的风险，减少资源浪费；再次，更换所述防护圈简单、方便，较之打磨所述静电吸盘耗时短，提高了生产效率。

技术领域

本实用新型属于半导体加工设备领域，涉及一种溅射工艺设备。

背景技术

溅射工艺是以一定能量的粒子(粒子或中性原子、分子)轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面的工艺。

溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜沉积两个方面。沉积薄膜时，靶材置于靶材位，受粒子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材发生化学反应而沉积于衬底，便可形成靶极材料的化合物薄膜。

如图1所示，现有溅射工艺设备一般包括用于承载基片的静电吸盘100以及沉积环200。所述静电吸盘100的横截面为圆形，所述沉积环200的横截面为环形，所述沉积环200包围所述静电吸盘100。所述静电吸盘100以及所述沉积环200之间具有缝隙。图2显示为图1的A-A’向剖视图。如图3所示，受粒子轰击后，安装于靶材位400内的靶材溅射出金属500，所述金属500在运行过程中会沿不同方向进行运行，因此，在生产过程中，大部分的经溅射发出的所述金属500会沉积在所述静电吸盘100所吸附的基片300上表面，但依然有部分金属500会沉积在所述溅射工艺设备中的其他部件上，造成清洗困难，因此，现有技术中增加了所述沉积环200，所述沉积环200可吸附以及阻挡部分金属500。然而，所述溅射工艺常常需要100～1500℃的高温，因此，为了防止所述静电吸盘100与所述沉积环200因升温受热产生膨胀后造成被卡死的现象，所述静电吸盘100与所述沉积环200之间常常具有缝隙；所述缝隙即使在所述静电吸盘100与所述沉积环200受热膨胀后也不会被填满。然而，由于部分所述金属500会沿运行路线600进行运行，加之缝隙的存在，因而，所述静电吸盘100边缘部位常常会被沉积金属500。

目前，每次维护所述静电吸盘100时，常常需要对所述静电吸盘100进行打磨，但是打磨常常具有以下缺点：一方面对所述静电吸盘100造成污染，从而影响到产品质量；另一方面打磨标准不易控制，导致所述静电吸盘100被过度打磨，有被报废的风险，造成资源浪费；过度打磨也使得所述静电吸盘100对所述基片300的静电吸附能力减弱，造成所述基片300平整度下降，从而影响到后续制作的产品质量；再次，对所述静电吸盘100进行打磨，需耗费较长时间，因而降低了生产效率。

基于以上问题，提供一种可以防止静电吸盘边缘被沉积的溅射工艺设备实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种溅射工艺设备，用于解决现有技术中金属沉积在静电吸盘边缘部位，需对其进行打磨，而打磨常常具有对静电吸盘造成污染，影响产品质量；打磨标准不易控制，导致静电吸盘被过度打磨，有被报废的风险，造成资源浪费；过度打磨使得静电吸盘对基片的静电吸附能力减弱，造成基片平整度下降，影响到后续制作的产品质量；打磨需耗费较长时间，降低了生产效率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种溅射工艺设备，包括：

静电吸盘；

沉积环，包围所述静电吸盘侧边的至少一部分，且与所述静电吸盘侧边之间具有间隙，所述沉积环靠近所述静电吸盘侧边的一侧上表面低于所述静电吸盘上表面；所述沉积环上表面还具有凸起部，所述凸起部的最高点高于所述静电吸盘上表面；