[实用新型]半导体器件

说明书

在本专利申请中涉及一种半导体器件，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触相接触的沟槽导电材料，所述沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。

相关申请

本申请要求于2016年11月17日递交的美国临时专利申请No.62/423,547的优先权和权益，其全部内容以引用的方式合并到本申请中。

技术领域

本申请总体上涉及半导体器件。更具体地说，本申请描述了包括具有减小的动态阻抗的高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体器件。

背景技术

包含集成电路(IC)或分立器件的半导体器件用于各种各样的电子设备。IC器件(或芯片或分立器件)可包括在半导体材料的衬底的表面中制造的小型化的电子电路。电路由许多重叠的层构成，这些重叠的层包括包含可以扩散到衬底中的掺杂剂的层(称为扩散层)或包含植入衬底中的离子的层(植入层)。其它层是导体层(多晶硅或金属层)或导电层之间的连接层(通孔或接触层)。IC器件或分立器件可以以逐层工艺制造，该逐层工艺使用包括映像、沉积、蚀刻、掺杂和清洁的许多步骤的组合。硅晶圆通常用作衬底，光刻用于标记衬底的待掺杂或沉积的不同区域并限定多晶硅层、绝缘层或金属层。

一种类型的半导体器件，即高电子迁移率晶体管(HEMT)，是一种场效应晶体管，其包含具有不同带隙的两种材料之间的结(即，异质结)作为沟道，而非作为掺杂区(通常是针对MOSFET器件的情况)。HEMT可用于集成电路作为数字通断开关。HEMT晶体管可以以比普通晶体管高的频率操作并可用于包括例如移动电话的许多高频产品。

实用新型内容

在本专利申请中描述了一种半导体器件，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触相接触的沟槽导电材料，所述沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。

该半导体器件可以是高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在一些实现中，HEMT器件可包括背势垒空穴注入结构。在一些实现中，HEMT器件包括电耦合到漏极接触的导电条部分。

附图说明

图1是示出高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的示例实现的图。

图2示出了图1中所示的HEMT器件的变型。

图3A是示出图1中所示的HEMT器件的俯视图的图。

图3B是示出图1和图3A中所示的HEMT器件的变型的图。

图4是示出图1中所示的HEMT器件的另一变型的图。

图5A、图5B、图5C示出了用于制作本文中至少与图1至图4关联地描述的HEMT器件的工艺。

图6是示出制作HEMT器件的方法的流程图。

图7A、图7B、图7C、图7D是示出包括耦合到漏极接触的导电条部分的HEMT器件的图。

图8A、图8B、图8C是示出图7A至图7D中所示的HEMT器件的变型的图。

图9A、图9B、图9C、图9D是示出图8A至图8C中所示的HEMT器件的变型的图。

图10、图11、图12是示出HEMT器件的变型的俯视图的图。

图13A、图13B、图13C是示出至少在图8A中所示的HEMT器件的变型的图。