[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201721551096.6 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN207664048U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;阿里·萨利赫;沃恩-埃德蒙兹·卢埃林 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子产生层 漏极接触 沟道层 半导体器件 导电材料 源极接触 栅极接触 申请 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
沟道层；
设置在所述沟道层上的载流子产生层；
设置在所述载流子产生层上的源极接触；
设置在所述载流子产生层上的漏极接触；
设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及
与所述漏极接触相接触的沟槽导电材料，所述沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽导电材料与所述载流子产生层接触并在所述漏极接触和所述沟道层之间延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽导电材料在所述沟道层内终止。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
设置在所述沟道层下方的背势垒层，所述沟槽导电材料在所述漏极接触和所述背势垒层之间延伸，所述沟槽导电材料在所述背势垒层中终止。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
设置在所述沟道层下方的背势垒层，所述沟槽导电材料从所述漏极接触延伸并在所述背势垒层上方终止。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是配置成限定二维电子气层的高电子迁移率晶体管器件，所述载流子产生层包括氮化铝镓材料，所述沟道层包括氮化镓材料。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极接触限定一与所述载流子产生层的欧姆接触，所述源极接触限定一与所述载流子产生层的欧姆接触，
所述半导体器件进一步包括：
设置在所述载流子产生层上的介电层，所述栅极接触凹入所述介电层内。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽导电材料具有比所述漏极接触的宽度小的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是耗尽型器件或增强型器件。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽导电材料的至少这一部分设置在沟槽中，而所述沟槽设置在所述载流子产生层和所述沟道层中，所述沟槽沿着与所述漏极接触对齐的方向相同的方向而对齐。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽导电材料是第一沟槽导电材料，
所述半导体器件进一步包括：
与所述源极接触相接触的第二沟槽导电材料，所述第二沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽导电材料是设置在第一沟槽中的第一沟槽导电材料，
所述半导体器件进一步包括：
与所述漏极接触相接触的第二沟槽导电材料，所述第二沟槽导电材料的至少一部分设置在所述载流子产生层和所述沟道层中，所述第二沟槽导电材料的至少这一部分设置在与所述第一沟槽分开的第二沟槽中，使得凸台设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间。
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